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Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade
Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade
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Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade

Oliveira, Glaura Caroena Azevedo De

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2012-06-22

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

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A Reconfigurable Surface Acoustic Wave Filter on ZnO/AlGaN/GaN Heterostructure
A Reconfigurable Surface Acoustic Wave Filter on ZnO/AlGaN/GaN Heterostructure
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A Reconfigurable Surface Acoustic Wave Filter on ZnO/AlGaN/GaN Heterostructure

Bahamonde, Jose A. ; Kymissis, Ioannis

IEEE transactions on electron devices, 2020-10, Vol.67 (10), p.4507-4514 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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In situ synthesis of flower-like ZnO on GaN using electrodeposition and its application as ethanol gas sensor at room temperature
In situ synthesis of flower-like ZnO on GaN using electrodeposition and its application as ethanol gas sensor at room temperature
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In situ synthesis of flower-like ZnO on GaN using electrodeposition and its application as ethanol gas sensor at room temperature

Wang, Chao ; Wang, Zu-Gang ; Xi, Rui ; Zhang, Long ; Zhang, Shao-Hui ; Wang, Lu-Jia ; Pan, Ge-Bo

Sensors and actuators. B, Chemical, 2019-08, Vol.292, p.270-276 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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Tutorial: Junction spectroscopy techniques and deep-level defects in semiconductors
Tutorial: Junction spectroscopy techniques and deep-level defects in semiconductors
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Tutorial: Junction spectroscopy techniques and deep-level defects in semiconductors

Peaker, A. R. ; Markevich, V. P. ; Coutinho, J.

Journal of applied physics, 2018-04, Vol.123 (16) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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ZnO Devices and Applications: A Review of Current Status and Future Prospects
ZnO Devices and Applications: A Review of Current Status and Future Prospects
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ZnO Devices and Applications: A Review of Current Status and Future Prospects

Ozgur, Umit ; Hofstetter, Daniel ; Morkoc, Hadis

Proceedings of the IEEE, 2010-07, Vol.98 (7), p.1255-1268 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Ethanolamine Modified ZnO Nanorods-Based Disposable Gate-AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor for pH Sensing
Ethanolamine Modified ZnO Nanorods-Based Disposable Gate-AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor for pH Sensing
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Ethanolamine Modified ZnO Nanorods-Based Disposable Gate-AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor for pH Sensing

Gu, Zhiqi ; Wang, Jin ; Miao, Bin ; Liu, Xinsheng ; Zhao, Lei ; Peng, Huoxiang ; Wu, Dongmin ; Li, Jiadong

IEEE sensors journal, 2021-02, Vol.21 (3), p.2552-2558 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Electrodeposition of ZnO nanorods onto GaN towards enhanced H2S sensing
Electrodeposition of ZnO nanorods onto GaN towards enhanced H2S sensing
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Electrodeposition of ZnO nanorods onto GaN towards enhanced H2S sensing

Wang, Chao ; Wang, Lu-Jia ; Zhang, Long ; Xi, Rui ; Huang, Hui ; Zhang, Shao-Hui ; Pan, Ge-Bo

Journal of alloys and compounds, 2019-06, Vol.790, p.363-369 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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T-ZnO/AlGaN/GaN HEMT Uric Acid Sensor-Sensitivity Analysis and Effect of Surface Wettability for Improved Performance
T-ZnO/AlGaN/GaN HEMT Uric Acid Sensor-Sensitivity Analysis and Effect of Surface Wettability for Improved Performance
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T-ZnO/AlGaN/GaN HEMT Uric Acid Sensor-Sensitivity Analysis and Effect of Surface Wettability for Improved Performance

Pal, Praveen ; Pratap, Yogesh ; Kabra, Sneha

IEEE sensors journal, 2022-06, Vol.22 (12), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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AlGaN/GaN MOS-HEMTs With Gate ZnO Dielectric Layer
AlGaN/GaN MOS-HEMTs With Gate ZnO Dielectric Layer
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AlGaN/GaN MOS-HEMTs With Gate ZnO Dielectric Layer

Lee, Ching-Ting ; Chiou, Ya-Lan ; Lee, Chi-Sen

IEEE electron device letters, 2010-11, Vol.31 (11), p.1220-1223 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Functionalization of GaN Nanowire Sensors With Metal Oxides: An Experimental and DFT Investigation
Functionalization of GaN Nanowire Sensors With Metal Oxides: An Experimental and DFT Investigation
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Functionalization of GaN Nanowire Sensors With Metal Oxides: An Experimental and DFT Investigation

Khan, Md Ashfaque Hossain ; Thomson, Brian ; Motayed, Abhishek ; Li, Qiliang ; Rao, Mulpuri V.

IEEE sensors journal, 2020-07, Vol.20 (13), p.7138-7147 [Periódico revisado por pares]

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  1. Assali, L
  2. Oliveira, G

Neste Assunto:

  1. Zinc Oxide
  2. Zinc Oxide
  3. Science & Technology
  4. Gallium Nitrides
  5. Physical Sciences

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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