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Microstructure evolution during the isostructural decomposition of TiAlN — A combined in-situ small angle x-ray scattering and phase field study

Knutsson, A. ; Ullbrand, J. ; Rogström, L. ; Norrby, N. ; Johnson, L. J. S. ; Hultman, L. ; Almer, J. ; Johansson Jöesaar, M. P. ; Jansson, B. ; Odén, M.

Journal of Applied Physics, 07 June 2013, Vol.113(21) [Periódico revisado por pares]

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SiN x coatings deposited by reactive high power impulse magnetron sputtering: Process parameters influencing the residual coating stress

Schmidt, S. ; Hänninen, T. ; Wissting, J. ; Hultman, L. ; Goebbels, N. ; Santana, A. ; Tobler, M. ; Högberg, H.

Journal of Applied Physics, 07 May 2017, Vol.121(17) [Periódico revisado por pares]

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Electronic-grade GaN ( 0001 ) / Al 2 O 3 ( 0001 ) grown by reactive DC-magnetron sputter epitaxy using a liquid Ga target

Junaid, M. ; Hsiao, C.-L. ; Palisaitis, J. ; Jensen, J. ; Persson, P. O. Å. ; Hultman, L. ; Birch, J.

Applied Physics Letters, 04 April 2011, Vol.98(14) [Periódico revisado por pares]

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Two-domain formation during the epitaxial growth of GaN (0001) on c-plane [Al.sub.2][O.sub.3] (0001) by high power impulse magnetron sputtering.(Report)

Junaid, M. ; Lundin, D. ; Palisaitis, J. ; Hsiao, C. - L. ; Darakchieva, V. ; Jensen, J. ; Persson, P. O. A. ; Sandstrom, P. ; Lai, W. - J. ; Chen, L. - C. ; Chen, K. - H. ; Helmersson, U. ; Hultman, L. ; Birch, J.

Journal of Applied Physics, Dec 15, 2011, Vol.110(12), p.123519-1-123519-9 [Periódico revisado por pares]

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Deviations from Vegard's rule in Al{sub 1-x}In{sub x}N (0001) alloy thin films grown by magnetron sputter epitaxy

Seppaenen, T ; Hultman, L ; Birch, J ; Beckers, M ; Kreissig, U ; Institute for Ion Beam Physics and Materials Science

Journal of Applied Physics, 15 February 2007, Vol.101(4) [Periódico revisado por pares]

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Sputter deposition from a Ti 2AlC target: Process characterization and conditions for growth of Ti 2AlC

Frodelius, J ; Eklund, P ; Beckers, M ; Persson, P.O.Å ; Högberg, H ; Hultman, L

Thin Solid Films, 2010, Vol.518(6), pp.1621-1626 [Periódico revisado por pares]

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Epitaxial growth and orientation of AlN thin films on Si(001) substrates deposited by reactive magnetron sputtering

Valcheva, E. ; Birch, J. ; Persson, P. O. Å. ; Tungasmita, S. ; Hultman, L.

Journal of Applied Physics, 15 December 2006, Vol.100(12) [Periódico revisado por pares]

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Magnetron sputter epitaxy of wurtzite Al 1 − x In x N ( 0.1 < x < 0.9 ) by dual reactive dc magnetron sputter deposition

Seppänen, T. ; Persson, P. O. Å. ; Hultman, L. ; Birch, J. ; Radnóczi, G. Z.

Journal of Applied Physics, 15 April 2005, Vol.97(8) [Periódico revisado por pares]

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Two-domain formation during the epitaxial growth of GaN (0001) on c -plane Al 2 O 3 (0001) by high power impulse magnetron sputtering

Junaid, M. ; Lundin, D. ; Palisaitis, J. ; Hsiao, C.-L. ; Darakchieva, V. ; Jensen, J. ; Persson, P. O. Å. ; Sandström, P. ; Lai, W.-J. ; Chen, L.-C. ; Chen, K.-H. ; Helmersson, U. ; Hultman, L. ; Birch, J.

Journal of Applied Physics, 15 December 2011, Vol.110(12) [Periódico revisado por pares]

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Self-organization during growth of ZrN/SiN x multilayers by epitaxial lateral overgrowth

Fallqvist, A. ; Ghafoor, N. ; Fager, H. ; Hultman, L. ; Persson, P. O. Å.

Journal of Applied Physics, 14 December 2013, Vol.114(22) [Periódico revisado por pares]

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