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Strong growth orientation dependence of strain relaxation in epitaxial (Ba,Sr)TiO{sub 3} films and the resulting dielectric properties

Yamada, Tomoaki ; Kamo, Takafumi ; Funakubo, Hiroshi ; Su Dong ; Iijima, Takashi

Journal of Applied Physics, 01 May 2011, Vol.109(9) [Periódico revisado por pares]

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Epitaxial strain and antiferromagnetism in Heusler Fe{sub 2}VSi thin films

Fukatani, N ; Ueda, K ; Asano, H

Journal of Applied Physics, 01 April 2011, Vol.109(7) [Periódico revisado por pares]

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Impact of ultrathin transition metal buffer layers on Fe{sub 3}O{sub 4} thin films

Jayathilaka, P. B ; Bauer, C. A ; Williams, D. V ; Miller, Casey W ; Monti, M. C ; Markert, J. T

Journal of Applied Physics, 15 May 2010, Vol.107(9) [Periódico revisado por pares]

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Oxygen incorporation effects in annealed epitaxial La{sub (1-x)}Sr{sub x}MnO{sub 3} thin films

Petrisor, T ; Gabor, M. S ; Tiusan, C ; Institut Jean Lamour, Umr 7198 Cnrs-Nancy Universite, Vandoeuvre-Les-Nancy ; Boulle, A ; Bellouard, C ; Pana, O ; Petrisor, T

Journal of Applied Physics, 15 June 2011, Vol.109(12) [Periódico revisado por pares]

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Phase change behavior in titanium-doped Ge 2 Sb 2 Te 5 films

Wei, S. J. ; Zhu, H. F. ; Chen, K. ; Xu, D. ; Li, J. ; Gan, F. X. ; Zhang, X. ; Xia, Y. J. ; Li, G. H.

Applied Physics Letters, 06 June 2011, Vol.98(23) [Periódico revisado por pares]

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Enhanced optical constants of nanocrystalline yttrium oxide thin films

Ramana, C. V. ; Mudavakkat, V. H. ; Bharathi, K. Kamala ; Atuchin, V. V. ; Pokrovsky, L. D. ; Kruchinin, V. N.

Applied Physics Letters, 17 January 2011, Vol.98(3) [Periódico revisado por pares]

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Electronic-grade GaN ( 0001 ) / Al 2 O 3 ( 0001 ) grown by reactive DC-magnetron sputter epitaxy using a liquid Ga target

Junaid, M. ; Hsiao, C.-L. ; Palisaitis, J. ; Jensen, J. ; Persson, P. O. Å. ; Hultman, L. ; Birch, J.

Applied Physics Letters, 04 April 2011, Vol.98(14) [Periódico revisado por pares]

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Phase transitions and electrical behavior of lead-free (K{sub 0.50}Na{sub 0.50})NbO{sub 3} thin film

Wu Jiagang ; Wang, John

Journal of Applied Physics, 15 September 2009, Vol.106(6) [Periódico revisado por pares]

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Establishing the mechanism of thermally induced degradation of ZnO:Al electrical properties using synchrotron radiation

Vinnichenko, M. ; Gago, R. ; Cornelius, S. ; Shevchenko, N. ; Rogozin, A. ; Kolitsch, A. ; Munnik, F. ; Möller, W.

Applied Physics Letters, 05 April 2010, Vol.96(14) [Periódico revisado por pares]

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Formation mechanisms of metallic Zn nanodots by using ZnO thin films deposited on n -Si substrates

Yuk, J. M. ; Lee, J. Y. ; Kim, Y. ; No, Y. S. ; Kim, T. W. ; Choi, W. K.

Applied Physics Letters, 09 August 2010, Vol.97(6) [Periódico revisado por pares]

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