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Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade
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Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade

Oliveira, Glaura Caroena Azevedo De

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2012-06-22

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

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Neste Assunto:

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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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