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Refinado por: assunto: X-Ray Diffraction remover assunto: Materials Science remover
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Deviations from Vegard's rule in Al{sub 1-x}In{sub x}N (0001) alloy thin films grown by magnetron sputter epitaxy

Seppaenen, T ; Hultman, L ; Birch, J ; Beckers, M ; Kreissig, U ; Institute for Ion Beam Physics and Materials Science

Journal of Applied Physics, 15 February 2007, Vol.101(4) [Periódico revisado por pares]

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Epitaxial growth and orientation of AlN thin films on Si(001) substrates deposited by reactive magnetron sputtering

Valcheva, E. ; Birch, J. ; Persson, P. O. Å. ; Tungasmita, S. ; Hultman, L.

Journal of Applied Physics, 15 December 2006, Vol.100(12) [Periódico revisado por pares]

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Magnetron sputter epitaxy of wurtzite Al 1 − x In x N ( 0.1 < x < 0.9 ) by dual reactive dc magnetron sputter deposition

Seppänen, T. ; Persson, P. O. Å. ; Hultman, L. ; Birch, J. ; Radnóczi, G. Z.

Journal of Applied Physics, 15 April 2005, Vol.97(8) [Periódico revisado por pares]

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Two-domain formation during the epitaxial growth of GaN (0001) on c -plane Al 2 O 3 (0001) by high power impulse magnetron sputtering

Junaid, M. ; Lundin, D. ; Palisaitis, J. ; Hsiao, C.-L. ; Darakchieva, V. ; Jensen, J. ; Persson, P. O. Å. ; Sandström, P. ; Lai, W.-J. ; Chen, L.-C. ; Chen, K.-H. ; Helmersson, U. ; Hultman, L. ; Birch, J.

Journal of Applied Physics, 15 December 2011, Vol.110(12) [Periódico revisado por pares]

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Self-organization during growth of ZrN/SiN x multilayers by epitaxial lateral overgrowth

Fallqvist, A. ; Ghafoor, N. ; Fager, H. ; Hultman, L. ; Persson, P. O. Å.

Journal of Applied Physics, 14 December 2013, Vol.114(22) [Periódico revisado por pares]

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248 nm cathodoluminescence in Al 1 − x In x N ( 0001 ) thin films grown on lattice-matched Ti 1 − y Zr y N ( 111 ) seed layers by low temperature magnetron sputter epitaxy

Seppänen, T. ; Hultman, L. ; Birch, J.

Applied Physics Letters, 30 October 2006, Vol.89(18) [Periódico revisado por pares]

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Phase stability tuning in the Nb x Zr 1 − x N thin-film system for large stacking fault density and enhanced mechanical strength

Joelsson, T. ; Hultman, L. ; Hugosson, H. W. ; Molina-Aldareguia, J. M.

Applied Physics Letters, 28 March 2005, Vol.86(13) [Periódico revisado por pares]

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Enhanced mechanical hardness in epitaxial nonisostructural Mo/NbN and W/NbN superlattices

Madan, A. ; Wang, Yun-Yu ; Barnett, S. A. ; Engström, C. ; Ljungcrantz, H. ; Hultman, L. ; Grimsditch, M.

Journal of Applied Physics, 15 July 1998, Vol.84(2), pp.776-785 [Periódico revisado por pares]

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Topotaxial growth of Ti 2 Al N by solid state reaction in Al N ∕ Ti ( 0001 ) multilayer thin films

Höglund, C. ; Beckers, M. ; Schell, N. ; Borany, J. V. ; Birch, J. ; Hultman, L.

Applied Physics Letters, 23 April 2007, Vol.90(17) [Periódico revisado por pares]

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Enhanced hardness in lattice‐matched single‐crystal TiN/V 0.6 Nb 0.4 N superlattices

Mirkarimi, P. B. ; Hultman, L. ; Barnett, S. A.

Applied Physics Letters, 17 December 1990, Vol.57(25), pp.2654-2656 [Periódico revisado por pares]

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