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Properties of molecular‐beam‐epitaxy‐grown and O + ‐implanted GaAs and their application to the formation of a buried collector of an AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor

Ota, Y. ; Yanagihara, M. ; Inada, M.

Journal of Applied Physics, 15 July 1988, Vol.64(2), pp.926-930 [Periódico revisado por pares]

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2
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Artigo
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Influence of chemical bond of carbon on Ni catalyzed graphitization

Yudasaka, M ; Tasaka, K ; Kikuchi, R ; Ohki, Y ; Yoshimura, S ; Ota, E

Journal of Applied Physics, 01 June 1997, Vol.81(11) [Periódico revisado por pares]

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