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Properties of epitaxial (Al x Ga 1 − x As) 1 − y C y alloys grown by MOCVD autoepitaxy

Seredin, P. ; Domashevskaya, E. ; Arsentyev, I. ; Vinokurov, D. ; Stankevich, A.

Semiconductors, 2013, Vol.47(1), pp.7-12 [Periódico revisado por pares]

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2
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Electroluminescence and absorption spectra of low-optical-loss semiconductor lasers based on InGaAs/AlGaAs/GaAs QW heterostructures

Slipchenko, S. O ; Podoskin, A. A ; Pikhtin, N. A ; Stankevich, A. L ; Rudova, N. A ; Leshko, A. Y ; Tarasov, I. S

Semiconductors, 15 May 2011, Vol.45(5) [Periódico revisado por pares]

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3
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Artigo
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Superstructured ordering in Al x Ga 1 − x As and Ga x In 1 − x P alloys

Seredin, P. ; Domashevskaya, P. ; Arsentyev, I. ; Vinokurov, D. ; Stankevich, A. ; Prutskij, T.

Semiconductors, 2013, Vol.47(1), pp.1-6 [Periódico revisado por pares]

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Relaxation of crystal lattice parameters and structural ordering in In x Ga 1 − x As epitaxial alloys

Seredin, P. ; Glotov, A. ; Domashevskaya, E. ; Arsentyev, I. ; Vinokurov, D. ; Stankevich, A. ; Tarasov, I.

Semiconductors, 2010, Vol.44(8), pp.1106-1112 [Periódico revisado por pares]

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Structural and optical properties of low-temperature hydride-MOCVD AlGaAs/GaAs(100) heterostructures based on omission solid solutions

Seredin, P. ; Glotov, A. ; Domashevskaya, E. ; Arsentyev, I. ; Vinokurov, D. ; Stankevich, A. ; Tarasov, I.

Semiconductors, 2009, Vol.43(12), pp.1610-1616 [Periódico revisado por pares]

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InGaAs/GaAs/AlGaAs lasers emitting at a wavelength of 1190 nm grown by MOCVD epitaxy on GaAs substrate

Vinokurov, D. ; Nikolaev, D. ; Pikhtin, N. ; Stankevich, A. ; Shamakhov, V. ; Rastegaeva, M. ; Rozhkov, A. ; Tarasov, I.

Semiconductors, 2010, Vol.44(12), pp.1592-1596 [Periódico revisado por pares]

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Analysis of quenching conditions of Fabry-Perot mode lasing in semiconductor stripe-contact lasers

Slipchenko, S. ; Podoskin, A. ; Vinokurov, D. ; Stankevich, A. ; Leshko, A. ; Pikhtin, N. ; Zabrodskiy, V. ; Tarasov, I.

Semiconductors, 2011, Vol.45(10), pp.1378-1385 [Periódico revisado por pares]

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850-nm diode lasers based on AlGaAsP/GaAs heterostructures

Vinokurov, D. ; Kapitonov, V. ; Lyutetskiy, A. ; Nikolaev, D. ; Pikhtin, N. ; Slipchenko, S. ; Stankevich, A. ; Shamakhov, V. ; Vavilova, L. ; Tarasov, I.

Semiconductors, 2012, Vol.46(10), pp.1321-1325 [Periódico revisado por pares]

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9
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Diode lasers emitting at 1190 nm with a highly strained GaInAs quantum well and GaAsP compensating layers MOCVD-grown on a GaAs substrate

Vinokurov, D. ; Nikolaev, D. ; Pikhtin, N. ; Stankevich, A. ; Shamakhov, V. ; Bondarev, A. ; Rudova, N. ; Tarasov, I.

Semiconductors, 2011, Vol.45(9), pp.1227-1230 [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Diode lasers emitting at 1220 nm with a highly strained GaInAs quantum well and GaAsP compensating layers MOCVD-grown on a GaAs substrate

Vinokurov, D. ; Kapitonov, V. ; Nikolaev, D. ; Pikhtin, N. ; Stankevich, A. ; Shamakhov, V. ; Bondarev, A. ; Vavilova, L. ; Tarasov, I.

Semiconductors, 2011, Vol.45(10), pp.1364-1368 [Periódico revisado por pares]

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