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Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: Gallium Compounds remover
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Origin of deep subgap states in amorphous indium gallium zinc oxide: Chemically disordered coordination of oxygen
Origin of deep subgap states in amorphous indium gallium zinc oxide: Chemically disordered coordination of oxygen
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Origin of deep subgap states in amorphous indium gallium zinc oxide: Chemically disordered coordination of oxygen

Sallis, S. ; Williams, D. S. ; Butler, K. T. ; Walsh, A. ; Quackenbush, N. F. ; Junda, M. ; Podraza, N. J. ; Fischer, D. A. ; Woicik, J. C. ; White, B. E. ; Piper, L. F. J. ; Materials Science and Engineering, Binghamton University, Binghamton, New York 13902

Applied physics letters, 2014-06, Vol.104 (23) [Periódico revisado por pares]

United States

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Formation of a pn junction on an anisotropically etched GaAs surface using metalorganic chemical vapor deposition
Formation of a pn junction on an anisotropically etched GaAs surface using metalorganic chemical vapor deposition
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Formation of a pn junction on an anisotropically etched GaAs surface using metalorganic chemical vapor deposition

Leon, R. P. ; Bailey, S. G. ; Mazaris, G. A. ; Williams, W. D.

Applied physics letters, 1986-10, Vol.49 (15), p.945-947 [Periódico revisado por pares]

Legacy CDMS: American Institute of Physics

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Temperature-dependent pinning at the Al/n-GaAs (110) interface
Temperature-dependent pinning at the Al/n-GaAs (110) interface
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Temperature-dependent pinning at the Al/n-GaAs (110) interface

KENDELEWICZ, T ; WILLIAMS, M. D ; CHIN, K. K ; MCCANTS, C. E ; LIST, R. S ; LINDAU, I ; SPICER, W. E

Applied physics letters, 1986-04, Vol.48 (14), p.919-921 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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Surface emitting two-dimensional coherent semiconductor laser array
Surface emitting two-dimensional coherent semiconductor laser array
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Surface emitting two-dimensional coherent semiconductor laser array

BUUS, J ; WILLIAMS, P. J ; GOODRIDGE, I ; ROBBINS, D. J ; URQUHART, J ; WEBB, A. P ; REID, D. C. J ; CARTER, A. C

Applied physics letters, 1989-07, Vol.55 (4), p.331-333 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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5
Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN
Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN
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Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN

Zolper, J. C. ; Tan, H. H. ; Williams, J. S. ; Zou, J. ; Cockayne, D. J. H. ; Pearton, S. J. ; Crawford, M. Hagerott ; Karlicek, R. F.

Applied physics letters, 1997-05, Vol.70 (20), p.2729-2731 [Periódico revisado por pares]

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Annealing of ion implanted gallium nitride
Annealing of ion implanted gallium nitride
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Annealing of ion implanted gallium nitride

Tan, H. H. ; Williams, J. S. ; Zou, J. ; Cockayne, D. J. H. ; Pearton, S. J. ; Zolper, J. C. ; Stall, R. A.

Applied physics letters, 1998-03, Vol.72 (10), p.1190-1192 [Periódico revisado por pares]

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Narrow far fields from extended-window broad-area lasers
Narrow far fields from extended-window broad-area lasers
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Narrow far fields from extended-window broad-area lasers

Lang, Robert J. ; Forouhar, Siamak ; Cser, Jim ; Katz, Joseph ; Gavrilovic, Paul

Applied physics letters, 1988-10, Vol.53 (15), p.1372-1374 [Periódico revisado por pares]

Legacy CDMS: American Institute of Physics

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8
Nanoscale three-dimensional reconstruction of electric and magnetic stray fields around nanowires
Nanoscale three-dimensional reconstruction of electric and magnetic stray fields around nanowires
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Nanoscale three-dimensional reconstruction of electric and magnetic stray fields around nanowires

Lubk, A. ; Wolf, D. ; Simon, P. ; Wang, C. ; Sturm, S. ; Felser, C.

Applied physics letters, 2014-10, Vol.105 (17) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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9
Ultrahigh Si+ implant activation efficiency in GaN using a high-temperature rapid thermal process system
Ultrahigh Si+ implant activation efficiency in GaN using a high-temperature rapid thermal process system
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Ultrahigh Si+ implant activation efficiency in GaN using a high-temperature rapid thermal process system

Cao, X. A. ; Abernathy, C. R. ; Singh, R. K. ; Pearton, S. J. ; Fu, M. ; Sarvepalli, V. ; Sekhar, J. A. ; Zolper, J. C. ; Rieger, D. J. ; Han, J. ; Drummond, T. J. ; Shul, R. J. ; Wilson, R. G.

Applied physics letters, 1998-07, Vol.73 (2), p.229-231 [Periódico revisado por pares]

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10
Dynamics of Q -switched laser annealing
Dynamics of Q -switched laser annealing
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Dynamics of Q -switched laser annealing

Auston, D. H. ; Golovchenko, J. A. ; Simons, A. L. ; Surko, C. M. ; Venkatesan, T. N. C.

Applied physics letters, 1979-06, Vol.34 (11), p.777-779 [Periódico revisado por pares]

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