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Refinado por: assunto: Gallium Arsenide remover
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Detection of vacancy-like defects during Cu diffusion in GaAs by positron annihilation
Detection of vacancy-like defects during Cu diffusion in GaAs by positron annihilation
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Detection of vacancy-like defects during Cu diffusion in GaAs by positron annihilation

Elsayed, M ; Bondarenko, V ; Petters, K ; Krause-Rehberg, R

Journal of physics. Conference series, 2011-01, Vol.265 (1), p.012005-9 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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2
Formation of vacancy clusters during copper diffusion in GaAs
Formation of vacancy clusters during copper diffusion in GaAs
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Formation of vacancy clusters during copper diffusion in GaAs

Krause-Rehberg, R ; Petters, K ; Gebauer, J

Physica. B, Condensed matter, 1999-12, Vol.273-274, p.714-717 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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3
Detailed Microscopic Defect Identification in GaAs
Detailed Microscopic Defect Identification in GaAs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Detailed Microscopic Defect Identification in GaAs

Gebauer, J. ; Staab, T.E.M. ; Redmann, F. ; Krause-Rehberg, Reinhard

Materials science forum, 2001-01, Vol.363-365, p.76-78 [Periódico revisado por pares]

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4
Influence of stoichiometry and doping on vacancies in n-type GaAs
Influence of stoichiometry and doping on vacancies in n-type GaAs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of stoichiometry and doping on vacancies in n-type GaAs

Gebauer, J ; Lausmann, M ; Redmann, F ; Krause-Rehberg, R

Physica. B, Condensed matter, 1999-12, Vol.273-274, p.705-709 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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5
Stoichiometry-dependent vacancy formation in n-doped GaAs
Stoichiometry-dependent vacancy formation in n-doped GaAs
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Stoichiometry-dependent vacancy formation in n-doped GaAs

Gebauer, J. ; Lausmann, M. ; Krause-Rehberg, R.

Semiconducting and Insulating Materials 1998. Proceedings of the 10th Conference on Semiconducting and Insulating Materials (SIMC-X) (Cat. No.98CH36159), 1998, p.134-137

IEEE

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6
Defect engineering in MBE grown GaAs based materials
Defect engineering in MBE grown GaAs based materials
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Defect engineering in MBE grown GaAs based materials

Specht, P. ; Cich, M.J. ; Zhao, R. ; Jager, N.D. ; Gebauer, J. ; Borner, F. ; Krause-Rehberg, R. ; Luysberg, M. ; Weber, E.R.

2000 International Semiconducting and Insulating Materials Conference. SIMC-XI (Cat. No.00CH37046), 2000, p.73-76

IEEE

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7
Vacancies in low-temperature-grown GaAs: observations by positron annihilation
Vacancies in low-temperature-grown GaAs: observations by positron annihilation
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Vacancies in low-temperature-grown GaAs: observations by positron annihilation

Gebauer, J. ; Borner, F. ; Krause-Rehberg, R. ; Specht, P. ; Weber, E.R.

Semiconducting and Insulating Materials 1998. Proceedings of the 10th Conference on Semiconducting and Insulating Materials (SIMC-X) (Cat. No.98CH36159), 1998, p.118-121

IEEE

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