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K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations
K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations

Carlos Maciel de Oliveira Bastos Paulo Eduardo de Faria Junior; Guilherme Matos Sipahi; Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP (16. 2013 Itirapina)

Abstract Book São Carlos : Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2013

São Carlos Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2013

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

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k.p parameters for wurtzite nitrides from ab initio calculations
k.p parameters for wurtzite nitrides from ab initio calculations
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

k.p parameters for wurtzite nitrides from ab initio calculations

C. M. O. Bastos P. E Faria Junior; T Campos; Guilherme Matos Sipahi; Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC (3. 2013 São Carlos)

Livro de Resumos São Carlos : Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2013

São Carlos Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2013

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD021793 )(Acessar)

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  1. Faria Junior, P
  2. Bastos, C
  3. Sipahi, G
  4. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP
  5. Campos, T

Neste Assunto:

  1. Semicondutores

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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