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Refinado por: data de publicação: Após 2003 remover assunto: Epitaxial Growth remover
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1
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Artigo
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Influence of the network modifier on the characteristics of MSnO3 (M=Sr and,Ca) thin films synthesized by chemical solution deposition

Alves, M. C. F.; Marinho, R. M. M.; Casali, G. P.; Siu-Li, M.; Deputier, S.; Guilloux-Viry, M.; Souza, A. G.; Longo, E.; Weber, I. T.; Santos, I. M. G.; Bouquet, V. Universidade Estadual Paulista (UNESP); Universidade Estadual Paulista (Unesp)

Journal of Solid State Chemistry

Elsevier B.V. 2013

Acesso online

2
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Artigo
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Optical density of states in ultradilute GaAsN alloy: Coexistence of free excitons and impurity band of localized and delocalized states

Bhuyan, Sumi ; Pal, Bipul ; Bansal, Bhavtosh ; Das, Sanat K ; Dhar, Sunanda

Journal of Applied Physics, 14 July 2014, Vol.116(2) [Periódico revisado por pares]

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3
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Artigo
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Bi-induced band gap reduction in epitaxial InSbBi alloys

Rajpalke, M. K ; Linhart, W. M ; Birkett, M ; Alaria, J ; Veal, T. D ; Yu, K. M ; Bomphrey, J. J ; Jones, T. S ; Ashwin, M. J ; Sallis, S ; Piper, L. F. J

Applied Physics Letters, 24 November 2014, Vol.105(21) [Periódico revisado por pares]

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4
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Artigo
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Studies of deep level centers determining the diffusion length in epitaxial layers and crystals of undoped n-GaN

Lee, In-Hwan ; Polyakov, A. Y ; Turutin, A. V ; Shemerov, I. V ; Smirnov, N. B ; Institute of Rare Metals, B. Tolmachevsky, 5, Moscow 119017 ; Yakimov, E. B ; Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Science, 6, Academician Ossipyan Str., Chernogolovka, Moscow Region 142432 ; Tarelkin, S. A ; Technological Institute for Superhard and Novel Carbon Materials, 7 Centralnaya St., Troitsk, Moscow 142190 ; Pearton, S. J

Journal of Applied Physics, 28 May 2016, Vol.119(20) [Periódico revisado por pares]

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5
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Artigo
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Electron beam induced current profiling of the p-ZnO:N/n-GaN heterojunction

Przeździecka, E ; Stachowicz, M ; Chusnutdinow, S ; Jakieła, R ; Kozanecki, A

Applied Physics Letters, 09 February 2015, Vol.106(6) [Periódico revisado por pares]

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6
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Ata de Congresso
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Arsenic source flow rate dependence of minority carrier lifetime in GaAsN grown by chemical beam epitaxy

Bouzazi, Boussairi ; Aisaka, Maki ; Kojima, Nobuaki ; Ohshita, Yoshio ; Yamaguchi, Masafumi

2013 IEEE 39th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), June 2013, pp.2078-2081

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7
Material Type:
Ata de Congresso
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High-electron-mobility In0.53Ga0.47As/In0.8Ga0.2As composite-channel modulation-doped structures grown by metal-organic vapor-phase epitaxy

Sugiyama, Hiroki ; Matsuzaki, Hideaki ; Yokoyama, Haruki ; Enoki, Takatomo

2010 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), May 2010, pp.1-4

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8
Material Type:
Ata de Congresso
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Multiple Wavelength Emission From Semipolar InGaN/GaN Quantum Wells Selectively Grown by MOCVD

Hongbo Yu ; Taeil Jung ; Lee, L. K ; Ku, P. C

2007 Quantum Electronics and Laser Science Conference, May 2007, pp.1-2

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9
Material Type:
Ata de Congresso
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Physical and electrical properties of of dilute GaAsN and InAsN layers grown by liquid phase epitaxy

Das, T.D ; Mondal, A ; Dhar, S

2007 International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, December 2007, pp.511-513

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10
Development of Variable Temperature Scanning Laser Microscope for Diagnosing Coated Conductors
Material Type:
Relatório Técnico
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Development of Variable Temperature Scanning Laser Microscope for Diagnosing Coated Conductors

Kwon, Chuhee California State Univ Long Beach (Corporate Author)

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