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Physical models for degradation effects in polysilicon thin-film transistors
Physical models for degradation effects in polysilicon thin-film transistors
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Physical models for degradation effects in polysilicon thin-film transistors

Hack, M. ; Lewis, A.G. ; Wu, I.-W.

IEEE transactions on electron devices, 1993-05, Vol.40 (5), p.890-897 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Avalanche-induced effects in polysilicon thin-film transistors
Avalanche-induced effects in polysilicon thin-film transistors
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Avalanche-induced effects in polysilicon thin-film transistors

Hack, M. ; Lewis, A.G.

IEEE electron device letters, 1991-05, Vol.12 (5), p.203-205 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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3
Polysilicon TFT circuit design and performance
Polysilicon TFT circuit design and performance
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Polysilicon TFT circuit design and performance

Lewis, A.G. ; Lee, D.D. ; Bruce, R.H.

IEEE journal of solid-state circuits, 1992-12, Vol.27 (12), p.1833-1842 [Periódico revisado por pares]

NEW YORK: IEEE

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4
Effects of trap-state density reduction by plasma hydrogenation in low-temperature polysilicon TFT
Effects of trap-state density reduction by plasma hydrogenation in low-temperature polysilicon TFT
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Effects of trap-state density reduction by plasma hydrogenation in low-temperature polysilicon TFT

Wu, I.-W. ; Lewis, A.G. ; Huang, T.-Y. ; Chiang, A.

IEEE electron device letters, 1989-03, Vol.10 (3), p.123-125 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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5
Hot-electron-induced punchthrough (HEIP) effect in submicrometer PMOSFET's
Hot-electron-induced punchthrough (HEIP) effect in submicrometer PMOSFET's
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Hot-electron-induced punchthrough (HEIP) effect in submicrometer PMOSFET's

Koyanagi, M. ; Lewis, A.G. ; Martin, R.A. ; Tiao-Yuan Huang ; Chen, J.Y.

IEEE transactions on electron devices, 1987-04, Vol.34 (4), p.839-844 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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6
A simpler 100-V polysilicon TFT with improved turn-on characteristics
A simpler 100-V polysilicon TFT with improved turn-on characteristics
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A simpler 100-V polysilicon TFT with improved turn-on characteristics

Huang, T.-Y. ; Wu, I.-W. ; Lewis, A.G. ; Chiang, A. ; Bruce, R.H.

IEEE electron device letters, 1990-06, Vol.11 (6), p.244-246 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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7
The charge-pumping technique for grain boundary trap evaluation in polysilicon TFTs
The charge-pumping technique for grain boundary trap evaluation in polysilicon TFTs
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The charge-pumping technique for grain boundary trap evaluation in polysilicon TFTs

Koyanagi, M. ; Baba, Y. ; Hata, K. ; Wu, I.-W. ; Lewis, A.G. ; Fuse, M. ; Bruce, R.

IEEE electron device letters, 1992-03, Vol.13 (3), p.152-154 [Periódico revisado por pares]

NEW YORK: IEEE

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8
Latchup performance of retrograde and conventional n-well CMOS technologies
Latchup performance of retrograde and conventional n-well CMOS technologies
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Latchup performance of retrograde and conventional n-well CMOS technologies

Lewis, A.G. ; Martin, R.A. ; Tiao-Yuan Huang ; Chen, J.Y. ; Koyanagi, M.

IEEE transactions on electron devices, 1987-10, Vol.34 (10), p.2156-2164 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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9
Device sensitivity of field-plated polysilicon high-voltage TFTs and their application to low-voltage operation
Device sensitivity of field-plated polysilicon high-voltage TFTs and their application to low-voltage operation
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Device sensitivity of field-plated polysilicon high-voltage TFTs and their application to low-voltage operation

Huang, T.-Y. ; Wu, I.-W. ; Lewis, A.G. ; Chiang, A. ; Bruce, R.H.

IEEE electron device letters, 1990-11, Vol.11 (11), p.541-543 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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10
Latchup suppression in fine-dimension shallow p-well CMOS circuits
Latchup suppression in fine-dimension shallow p-well CMOS circuits
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Latchup suppression in fine-dimension shallow p-well CMOS circuits

Lewis, A.G.

IEEE transactions on electron devices, 1984-01, Vol.31 (10), p.1472-1481 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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