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0.1 μm Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes
0.1 μm Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes
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0.1 μm Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes

Smith, R.P. ; Alien, S.T. ; Reddy, M. ; Martin, S.C. ; Liu, J. ; Muller, R.E. ; Rodwell, M.J.W.

IEEE electron device letters, 1994-08, Vol.15 (8), p.295-297 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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2
0.2-μm n-channel and p-channel MOSFETs integrated on oxidation-planarized twin-tubs
0.2-μm n-channel and p-channel MOSFETs integrated on oxidation-planarized twin-tubs
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0.2-μm n-channel and p-channel MOSFETs integrated on oxidation-planarized twin-tubs

Liu, C.T. ; Lin, W. ; Lee, K.H. ; Liu, R.

IEEE electron device letters, 1996-11, Vol.17 (11), p.500-502 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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3
0.8 mW 1.1-5.6 GHz dual-modulus prescaler based on multi-phase quasi-differential locking divider
0.8 mW 1.1-5.6 GHz dual-modulus prescaler based on multi-phase quasi-differential locking divider
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0.8 mW 1.1-5.6 GHz dual-modulus prescaler based on multi-phase quasi-differential locking divider

YU, X. P ; LIM, W. M ; LU, Z ; GU, J ; LIU, Y ; KIAT-SENG, Y

Electronics letters, 2010-11, Vol.46 (24), p.1595-1597 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: Institution of Engineering and Technology

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4
1/f noise in doped semiconductor thermistors
1/f noise in doped semiconductor thermistors
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1/f noise in doped semiconductor thermistors

McCammon, D ; Galeazzi, M ; Liu, D ; Sanders, W T ; Tan, P ; Boyce, K R ; Brekosky, R ; Gygax, J D ; Kelley, R ; Mott, D B

AIP Conference Proceedings, 2002, p.91-94 [Periódico revisado por pares]

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5
1 MW, 140 GHz, CW gyrotron for Wendelstein 7-X
1 MW, 140 GHz, CW gyrotron for Wendelstein 7-X
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1 MW, 140 GHz, CW gyrotron for Wendelstein 7-X

Dammertz, G. ; Alberti, S. ; Arnold, A. ; Borie, E. ; Erckmann, V. ; Forster, W. ; Gantenbein, G. ; Garin, P. ; Giguet, E. ; Illy, S. ; Kasparek, W. ; Laqua, H. ; Le Cloarec, G. ; Le Goff, Y. ; Leonhardt, W. ; Magne, R. ; Michel, G. ; Muller, G. ; Ploscyzk, B. ; Schmid, M. ; Thumm, M. ; Tran, M.Q.

25th International Conference on Infrared and Millimeter Waves (Cat. No.00EX442), 2000, p.15-16

IEEE

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6
10 GHz quadrature-phase voltage controlled oscillator and prescaler
10 GHz quadrature-phase voltage controlled oscillator and prescaler
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10 GHz quadrature-phase voltage controlled oscillator and prescaler

Wei-Zen Chen ; Chien-Liang Kuo ; Chia-Chun Liu

ESSCIRC 2004 - 29th European Solid-State Circuits Conference (IEEE Cat. No.03EX705), 2003, p.361-364

IEEE

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7
1.25Gb/s low jitter dual-loop clock and data recovery circuit
1.25Gb/s low jitter dual-loop clock and data recovery circuit
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1.25Gb/s low jitter dual-loop clock and data recovery circuit

Wei Liu ; Lei Xiao ; Lianxing Yang

2007 7th International Conference on ASIC, 2007, p.311-314

IEEE

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8
1.3-μm InAs Quantum Dot Vertical Cavity Surface Emitting Lasers with Planar Electrodes Configuration
1.3-μm InAs Quantum Dot Vertical Cavity Surface Emitting Lasers with Planar Electrodes Configuration
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1.3-μm InAs Quantum Dot Vertical Cavity Surface Emitting Lasers with Planar Electrodes Configuration

DING, Y ; FAN, W. J ; WANG, W ; XU, D. W ; TONG, C. Z ; LOKE, W. K ; YOON, S. F ; ZHANG, D. H ; LIU, Y ; ZHU, N. H ; ZHAO, L. J

Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, 2009, Vol.7158

Bellingham, Wash: SPIE

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9
1.5 THz heterodyne receiver with waveguide superconducting NbTiN hot electron bolometer mixer
1.5 THz heterodyne receiver with waveguide superconducting NbTiN hot electron bolometer mixer
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1.5 THz heterodyne receiver with waveguide superconducting NbTiN hot electron bolometer mixer

Jiang, L ; Shiino, T ; Yamamoto, S ; Zhang, W ; Liu, Y. F

Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, 2011, Vol.8195, p.819506-819506-9

Bellingham WA: SPIE

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10
1.5-W CW S-band GaInP/GaAs/GaInP double heterojunction bipolar transistor
1.5-W CW S-band GaInP/GaAs/GaInP double heterojunction bipolar transistor
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1.5-W CW S-band GaInP/GaAs/GaInP double heterojunction bipolar transistor

Liu, W. ; Beam, E. ; Khatibzadeh, A.

IEEE electron device letters, 1994-06, Vol.15 (6), p.215-217 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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