skip to main content
Refinado por: data de publicação: 1997Até2008 remover assunto: Electromagnetism, Optics and Lasers remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Saturation of light-current characteristics of high-power laser diodes (λ = 1.0–1.8 μm) under pulse operation

Vinokurov, D. ; Kapitonov, V. ; Lyutetskiĭ, A. ; Pikhtin, N. ; Slipchenko, S. ; Sokolova, Z. ; Stankevich, A. ; Khomylev, M. ; Shamakhov, V. ; Borshchev, K. ; Arsent’ev, I. ; Tarasov, I.

Semiconductors, 2007, Vol.41(8), pp.984-990 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Ver todas as versões
2
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Ultralow internal optical loss in separate-confinement quantum-well laser heterostructures

Slipchenko, S. ; Vinokurov, D. ; Pikhtin, N. ; Sokolova, Z. ; Stankevich, A. ; Tarasov, I. ; Alferov, Zh.

Semiconductors, 2004, Vol.38(12), pp.1430-1439 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

3
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Double-band generation in quantum-well semiconductor laser at high injection levels

Vinokurov, D. ; Zorina, S. ; Kapitonov, V. ; Leshko, A. ; Lyutetskiĭ, A. ; Nalet, T. ; Nikolaev, D. ; Pikhtin, N. ; Rudova, N. ; Slipchenko, S. ; Sokolova, Z. ; Stankevich, A. ; Fetisova, N. ; Khomylev, M. ; Shamakhov, V. ; Borshchev, K. ; Arsent’ev, I. ; Bondarev, A. ; Trukan, M. ; Tarasov, I.

Semiconductors, 2007, Vol.41(10), pp.1230-1233 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Ver todas as versões
4
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Vegard’s law and superstructural phases in Al x Ga 1− x As/GaAs(100) epitaxial heterostructures

Domashevskaya, É. ; Seredin, P. ; Dolgopolova, É. ; Zanin, I. ; Arsent’ev, I. ; Vinokurov, D. ; Stankevich, A. ; Tarasov, I.

Semiconductors, 2005, Vol.39(3), pp.336-342 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

5
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

MOCVD GaInAsP/GaInP/AlGaInP laser structures emitting at 780 nm

Vinokurov, D. ; Zorina, S. ; Kapitonov, V. ; Leshko, A. ; Lyutetskii, A. ; Nikolaev, D. ; Pikhtin, N. ; Stankevich, A. ; Fetisova, N. ; Shamakhov, V. ; Tarasov, I.

Semiconductors, 2003, Vol.37(12), pp.1421-1424 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

6
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

MOCVD-grown broad area InGaAs/GaAs/InGaP laser diodes

Vinokurov, D. ; Kapitonov, V. ; Nikolaev, D. ; Stankevich, A. ; Lyutetskii, A. ; Pikhtin, N. ; Slipchenko, S. ; Sokolova, Z. ; Fetisova, N. ; Arsent’ev, I. ; Tarasov, I.

Semiconductors, 2001, Vol.35(11), pp.1324-1328 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

7
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

High-power lasers (λ = 940–980 nm) based on asymmetric GaInAs/GaInAsP/AlGaAs separate-confinement heterostructure

Vinokurov, D. ; Stankevich, A. ; Shamakhov, V. ; Kapitonov, V. ; Leshko, A. ; Lyutetskiĭ, A. ; Nikolaev, D. ; Pikhtin, N. ; Rudova, N. ; Sokolova, Z. ; Slipchenko, S. ; Khomylev, M. ; Tarasov, I.

Semiconductors, 2006, Vol.40(6), pp.745-748 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

8
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Temperature dependence of the threshold current of QW lasers

Bazhenov, N. ; Mynbaev, K. ; Ivanov-Omskii, V. ; Smirnov, V. ; Evtikhiev, V. ; Pikhtin, N. ; Rastegaeva, M. ; Stankevich, A. ; Tarasov, I. ; Shkol’nik, A. ; Zegrya, G.

Semiconductors, 2005, Vol.39(10), pp.1210-1214 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

9
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

High-power laser diodes with an emission wavelength of 835 nm on the basis of various types of heterostructures

Murashova, A. ; Vinokurov, D. ; Pikhtin, N. ; Slipchenko, S. ; Shamakhov, V. ; Vasilyeva, V. ; Kapitonov, V. ; Leshko, A. ; Lyutetskiy, A. ; Nalet, T. ; Nikolaev, D. ; Stankevich, A. ; Fetisova, N. ; Tarasov, I. ; Kim, Y. ; Kang, D. ; Lee, C.

Semiconductors, 2008, Vol.42(7), pp.862-867 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

10
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

High-power laser diodes based on asymmetric separate-confinement heterostructures

Vinokurov, D. ; Zorina, S. ; Kapitonov, V. ; Murashova, A. ; Nikolaev, D. ; Stankevich, A. ; Khomylev, M. ; Shamakhov, V. ; Leshko, A. ; Lyutetskii, A. ; Nalyot, T. ; Pikhtin, N. ; Slipchenko, S. ; Sokolova, Z. ; Fetisova, N. ; Tarasov, I.

Semiconductors, 2005, Vol.39(3), pp.370-373 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Novas Pesquisas Sugeridas

Ignorar minha busca e procurar por tudo

Deste Autor:

  1. Tarasov, I S
  2. Stankevich, A L
  3. Stankevich, A.
  4. Tarasov, I.
  5. Pikhtin, N.

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.