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Accurate mobility and carrier concentration analysis for GaN

Look, D.C ; Sizelove, J.R ; Keller, S ; Wu, Y.F ; Mishra, U.K ; Denbaars, S.P

Solid State Communications, 1997, Vol.102(4), pp.297-300 [Periódico revisado por pares]

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2
Valence subbands and optical gain in wurtzite and zinc-blende strained GaN/AlGaN quantum wells
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Valence subbands and optical gain in wurtzite and zinc-blende strained GaN/AlGaN quantum wells

Kim, Cheol-Hoi ; Han, Baik-Hyung

Solid State Communications, 4/1998, Vol.106(3), pp.127-132 [Periódico revisado por pares]

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3
Graded interface effects on the carriers confinement in single GaN/AlxGa1−xN wurtzite quantum wells
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Artigo
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Graded interface effects on the carriers confinement in single GaN/AlxGa1−xN wurtzite quantum wells

Wang, H. ; Farias, G.A. ; Freire, V.N.

Solid State Communications, 5/1999, Vol.110(10), pp.587-592 [Periódico revisado por pares]

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4
Dielectric function of wurtzite GaN and AlN thin films
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Dielectric function of wurtzite GaN and AlN thin films

Benedict, L.X. ; Wethkamp, T. ; Wilmers, K. ; Cobet, C. ; Esser, N. ; Shirley, E.L. ; Richter, W. ; Cardona, M.

Solid State Communications, 9/1999, Vol.112(3), pp.129-133 [Periódico revisado por pares]

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5
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FP-LAPW and pseudopotential calculations of the structural phase transformations of GaN under high-pressure

Abu-Jafar, M ; Al-Sharif, A.I ; Qteish, A

Solid State Communications, 2000, Vol.116(7), pp.389-393 [Periódico revisado por pares]

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6
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Spin–orbit splittings in AlN, GaN and InN

Cardona, M ; Christensen, N.E

Solid State Communications, 2000, Vol.116(8), pp.421-425 [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Room temperature ferromagnetic (Ga,Mn)N epitaxial films with low Mn concentration grown by plasma-enhanced molecular beam epitaxy

Park, M.C ; Huh, K.S ; Myoung, J.M ; Lee, J.M ; Chang, J.Y ; Lee, K.I ; Han, S.H ; Lee, W.Y

Solid State Communications, 2002, Vol.124(1), pp.11-14 [Periódico revisado por pares]

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Exciton states and interband optical transitions in InGaN quantum dots

Shi, Jun-Jie

Solid State Communications, 2002, Vol.124(9), pp.341-345 [Periódico revisado por pares]

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9
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Precise measurement of equation-of-state and elastic properties for GaN up to 16 GPa

Tsuchiya, T ; Kawamura, K ; Ohtaka, O ; Fukui, H ; Kikegawa, T

Solid State Communications, 2002, Vol.121(9), pp.555-559 [Periódico revisado por pares]

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10
Anisotropy of UV-reflectivity in wurtzite crystals: a comparison between GaN and CdSe
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Artigo
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Anisotropy of UV-reflectivity in wurtzite crystals: a comparison between GaN and CdSe

Lambrecht, Walter R.L ; Prikhodko, Margarita

Solid State Communications, 3/2002, Vol.121(9-10), pp.549-554 [Periódico revisado por pares]

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