skip to main content
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Mostrar Somente
Refinado por: assunto: Bipolar Transistors remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Nanosecond Peak Detect and Hold Circuit With Adjustable Dynamic Range
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Nanosecond Peak Detect and Hold Circuit With Adjustable Dynamic Range

Fellner, Gabriel ; Speckbacher, Lucas ; Mousavi, Seyed Mostafa ; Pommerenke, David Johannes ; Shinde, Satyajeet ; Hillstrom, Michael ; Chundru, Ram ; Lam, Cheung-Wei

IEEE transactions on instrumentation and measurement, 2023, Vol.72, p.1-8 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

2
An Investigation of Process Variations and Mismatch Characteristics of Vertical Bipolar Junction Transistors
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

An Investigation of Process Variations and Mismatch Characteristics of Vertical Bipolar Junction Transistors

Liu, Xiaonian ; Yang, Zichen

IEEE access, 2023-01, Vol.11, p.1-1 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: IEEE

Texto completo disponível

3
Analysis of Bipolar and CMOS Amplifiers
Material Type:
Livro
Adicionar ao Meu Espaço

Analysis of Bipolar and CMOS Amplifiers

Sodagar, Amir M

United States: CRC Press 2018

Sem texto completo

4
Predicting the Performance of a 26 GHz Transconductance Modulated Downconversion Mixer as a Function of LO Drive and DC Bias
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Predicting the Performance of a 26 GHz Transconductance Modulated Downconversion Mixer as a Function of LO Drive and DC Bias

Ball, Edward A.

Electronics (Basel), 2022-08, Vol.11 (16), p.2516 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

Texto completo disponível

5
A computationally efficient physics-based compact bipolar transistor model for circuit Design-part I: model formulation
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

A computationally efficient physics-based compact bipolar transistor model for circuit Design-part I: model formulation

Schroter, M. ; Lehmann, S. ; Fregonese, S. ; Zimmer, T.

IEEE transactions on electron devices, 2006-02, Vol.53 (2), p.279-286 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

Texto completo disponível

6
Investigating Student Understanding of Bipolar Junction Transistor Circuits
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Investigating Student Understanding of Bipolar Junction Transistor Circuits

Van De Bogart, Kevin L ; Stetzer, MacKenzie R

Physical review. Physics education research, 2018-11, Vol.14 (2), p.020121, Article 020121 [Periódico revisado por pares]

College Park: American Physical Society

Texto completo disponível

7
Characterization of enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) effects using Gated Lateral PNP transistor structures
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Characterization of enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) effects using Gated Lateral PNP transistor structures

Pease, R.L. ; Platteter, D.G. ; Dunham, G.W. ; Seiler, J.E. ; Barnaby, H.J. ; Schrimpf, R.D. ; Shaneyfelt, M.R. ; Maher, M.C. ; Nowlin, R.N.

IEEE transactions on nuclear science, 2004-12, Vol.51 (6), p.3773-3780 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

8
A novel transistor model for simulating avalanche-breakdown effects in Si bipolar circuits
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

A novel transistor model for simulating avalanche-breakdown effects in Si bipolar circuits

Rickelt, M. ; Rein, H.-M.

IEEE journal of solid-state circuits, 2002-09, Vol.37 (9), p.1184-1197 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

9
DC Operating Point Analysis of Transistor Circuits Using the Variable-Gain Homotopy Method
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

DC Operating Point Analysis of Transistor Circuits Using the Variable-Gain Homotopy Method

YAMAMURA, Kiyotaka ; MIYAMOTO, Takuya

IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences, 2014/05/01, Vol.E97.A(5), pp.1042-1050 [Periódico revisado por pares]

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

Texto completo disponível

10
Heuristic for learning common emitter amplification with bipolar transistors
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Heuristic for learning common emitter amplification with bipolar transistors

Staffas, Kjell

European journal of engineering education, 2017-11, Vol.42 (6), p.860-874 [Periódico revisado por pares]

Abingdon: Taylor & Francis

Texto completo disponível

Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Recursos Online (2.685)
  2. Revistas revisadas por pares (1.252)

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Anais de Congresso  (1.629)
  2. Artigos  (1.352)
  3. Reports  (144)
  4. Livros  (38)
  5. magazinearticle  (21)
  6. Book Chapters  (14)
  7. Dissertações  (5)
  8. Verbetes  (4)
  9. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
  1. Antes de1973  (122)
  2. 1973Até1984  (344)
  3. 1985Até1996  (947)
  4. 1997Até2009  (1.839)
  5. Após 2009  (513)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Inglês  (3.206)
  2. Japonês  (4)
  3. Russo  (2)
  4. Croatian  (1)
  5. Francês  (1)
  6. Letão  (1)
  7. Mais opções open sub menu

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.