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Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade
Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade
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Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade

Oliveira, Glaura Caroena Azevedo De

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2012-06-22

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

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A new atomistic model for the threading screw dislocation core in wurtzite GaN
A new atomistic model for the threading screw dislocation core in wurtzite GaN
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A new atomistic model for the threading screw dislocation core in wurtzite GaN

Belabbas, I. ; Chen, J. ; Nouet, G.

Computational materials science, 2012-01, Vol.51 (1), p.206-216 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Deste Autor:

  1. Assali, L
  2. Oliveira, G

Neste Assunto:

  1. Gallium Nitride
  2. Ab Initio Methods
  3. Estrutura Dos Sólidos
  4. Potencial De Hubbard
  5. Electronic Structure

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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