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Refinado por: data de publicação: 1997Até2003 remover 931.3 Atomic and Molecular Physics remover Base de dados/Biblioteca: Elsevier (CrossRef) remover Nome da Publicação: Solid State Communications remover
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Dependence on Al concentration of the optical phonons of Al xGa 1− xN films

Liu, Ming S ; Tong, Y.Z ; Bursill, Les A ; Prawer, S ; Nugent, K.W ; Zhang, G.Y

Solid State Communications, 1998, Vol.108(10), pp.765-768 [Periódico revisado por pares]

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A photoacoustic spectroscopic investigation of the optical energy gap in Zn–Mn–Se type dilute magnetic semiconductors

Ghosh, A.K ; Sarkar, B.K ; Chaudhuri, B.K

Solid State Communications, 1999, Vol.113(1), pp.41-45 [Periódico revisado por pares]

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3
Velocity overshoot in zincblende and wurtzite GaN
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Velocity overshoot in zincblende and wurtzite GaN

Caetano, E.W.S ; Costa Filho, R.N ; Freire, V.N ; Da Costa, J.A.P

Solid State Communications, 5/1999, Vol.110(9), pp.469-472 [Periódico revisado por pares]

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4
Dielectric function of wurtzite GaN and AlN thin films
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Dielectric function of wurtzite GaN and AlN thin films

Benedict, L.X. ; Wethkamp, T. ; Wilmers, K. ; Cobet, C. ; Esser, N. ; Shirley, E.L. ; Richter, W. ; Cardona, M.

Solid State Communications, 9/1999, Vol.112(3), pp.129-133 [Periódico revisado por pares]

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5
Raman spectroscopy of wurtzite InN films grown on Si
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Raman spectroscopy of wurtzite InN films grown on Si

Agulló-Rueda, F. ; Mendez, E.E. ; Bojarczuk, B. ; Guha, S.

Solid State Communications, 5/2000, Vol.115(1), pp.19-21 [Periódico revisado por pares]

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Pressure effect on phonon modes in gallium nitride: a molecular dynamics study

Aouas, M.R ; Sekkal, W ; Zaoui, A

Solid State Communications, 2001, Vol.120(9), pp.413-418 [Periódico revisado por pares]

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Room temperature ferromagnetic (Ga,Mn)N epitaxial films with low Mn concentration grown by plasma-enhanced molecular beam epitaxy

Park, M.C ; Huh, K.S ; Myoung, J.M ; Lee, J.M ; Chang, J.Y ; Lee, K.I ; Han, S.H ; Lee, W.Y

Solid State Communications, 2002, Vol.124(1), pp.11-14 [Periódico revisado por pares]

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8
Impact of polarization on quasi-two-dimensional exciton and barrier-width dependence of the exciton associated transition in wurtzite III–V nitride quantum wells
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Impact of polarization on quasi-two-dimensional exciton and barrier-width dependence of the exciton associated transition in wurtzite III–V nitride quantum wells

Wan, Shou-Pu ; Xia, Jian-Bai

Solid State Communications, 5/2002, Vol.122(5), pp.287-292 [Periódico revisado por pares]

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