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Refinado por: data de publicação: 1997Até2003 remover 712.1.2 Compound Semiconducting Materials remover Base de dados/Biblioteca: Elsevier (CrossRef) remover Nome da Publicação: Solid State Communications remover
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1
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Artigo
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Dependence on Al concentration of the optical phonons of Al xGa 1− xN films

Liu, Ming S ; Tong, Y.Z ; Bursill, Les A ; Prawer, S ; Nugent, K.W ; Zhang, G.Y

Solid State Communications, 1998, Vol.108(10), pp.765-768 [Periódico revisado por pares]

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2
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Artigo
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A photoacoustic spectroscopic investigation of the optical energy gap in Zn–Mn–Se type dilute magnetic semiconductors

Ghosh, A.K ; Sarkar, B.K ; Chaudhuri, B.K

Solid State Communications, 1999, Vol.113(1), pp.41-45 [Periódico revisado por pares]

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3
Velocity overshoot in zincblende and wurtzite GaN
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Artigo
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Velocity overshoot in zincblende and wurtzite GaN

Caetano, E.W.S ; Costa Filho, R.N ; Freire, V.N ; Da Costa, J.A.P

Solid State Communications, 5/1999, Vol.110(9), pp.469-472 [Periódico revisado por pares]

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4
Graded interface effects on the carriers confinement in single GaN/AlxGa1−xN wurtzite quantum wells
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Artigo
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Graded interface effects on the carriers confinement in single GaN/AlxGa1−xN wurtzite quantum wells

Wang, H. ; Farias, G.A. ; Freire, V.N.

Solid State Communications, 5/1999, Vol.110(10), pp.587-592 [Periódico revisado por pares]

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5
Dielectric function of wurtzite GaN and AlN thin films
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Dielectric function of wurtzite GaN and AlN thin films

Benedict, L.X. ; Wethkamp, T. ; Wilmers, K. ; Cobet, C. ; Esser, N. ; Shirley, E.L. ; Richter, W. ; Cardona, M.

Solid State Communications, 9/1999, Vol.112(3), pp.129-133 [Periódico revisado por pares]

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6
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FP-LAPW and pseudopotential calculations of the structural phase transformations of GaN under high-pressure

Abu-Jafar, M ; Al-Sharif, A.I ; Qteish, A

Solid State Communications, 2000, Vol.116(7), pp.389-393 [Periódico revisado por pares]

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7
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Artigo
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Spin–orbit splittings in AlN, GaN and InN

Cardona, M ; Christensen, N.E

Solid State Communications, 2000, Vol.116(8), pp.421-425 [Periódico revisado por pares]

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8
Raman spectroscopy of wurtzite InN films grown on Si
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Raman spectroscopy of wurtzite InN films grown on Si

Agulló-Rueda, F. ; Mendez, E.E. ; Bojarczuk, B. ; Guha, S.

Solid State Communications, 5/2000, Vol.115(1), pp.19-21 [Periódico revisado por pares]

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9
Absorption coefficient of wurtzite GaN calculated from an empirical tight binding model
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Artigo
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Absorption coefficient of wurtzite GaN calculated from an empirical tight binding model

Jogai, B.

Solid State Communications, 9/2000, Vol.116(3), pp.153-157 [Periódico revisado por pares]

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10
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Artigo
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Precise measurement of equation-of-state and elastic properties for GaN up to 16 GPa

Tsuchiya, T ; Kawamura, K ; Ohtaka, O ; Fukui, H ; Kikegawa, T

Solid State Communications, 2002, Vol.121(9), pp.555-559 [Periódico revisado por pares]

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