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0.2 V Drive Voltage Substrate Removed Electro-Optic Mach-Zehnder Modulators With MQW Cores at 1.55 μm
0.2 V Drive Voltage Substrate Removed Electro-Optic Mach-Zehnder Modulators With MQW Cores at 1.55 μm
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0.2 V Drive Voltage Substrate Removed Electro-Optic Mach-Zehnder Modulators With MQW Cores at 1.55 μm

Dogru, Selim ; Dagli, Nadir

Journal of lightwave technology, 2014-02, Vol.32 (3), p.435-439 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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2
1 dBm average optical output power operation of small-chirp 40-Gbps electroabsorption modulator with tensile-strained asymmetric quantum-well absorption layer
1 dBm average optical output power operation of small-chirp 40-Gbps electroabsorption modulator with tensile-strained asymmetric quantum-well absorption layer
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1 dBm average optical output power operation of small-chirp 40-Gbps electroabsorption modulator with tensile-strained asymmetric quantum-well absorption layer

MIYAZAKI, Yasunori ; TADA, Hitoshi ; TOKIZAKI, Shin-Ya ; TAKAGI, Kazuhisa ; HANAMAKI, Yoshihiko ; AOYAGI, Toshitaka ; MITSUI, Yasuo

IEEE journal of quantum electronics, 2003-08, Vol.39 (8), p.1009-1017 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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3
1/f Noise modeling of InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infrared detectors
1/f Noise modeling of InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infrared detectors
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1/f Noise modeling of InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infrared detectors

Ciura, Łukasz ; Kolek, Andrzej ; Jureńczyk, Jarosław ; Czuba, Krzysztof ; Jasik, Agata ; Sankowska, Iwona ; Kaniewski, Janusz

Optical and quantum electronics, 2018, Vol.50 (1), p.1-11, Article 36 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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4
1-Gb/s integrated optical detectors and receivers in commercial CMOS technologies
1-Gb/s integrated optical detectors and receivers in commercial CMOS technologies
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1-Gb/s integrated optical detectors and receivers in commercial CMOS technologies

Woodward, T.K. ; Krishnamoorthy, A.V.

IEEE journal of selected topics in quantum electronics, 1999-03, Vol.5 (2), p.146-156 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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5
1.2 ps Kerr-lens self-mode-locked Yb:Y2SiO5 laser
1.2 ps Kerr-lens self-mode-locked Yb:Y2SiO5 laser
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1.2 ps Kerr-lens self-mode-locked Yb:Y2SiO5 laser

Wang, Yiran ; Liu, Chengcheng ; Liu, Jie ; Zheng, Lihe ; Su, Liangbi ; Xu, Jun

Optical and quantum electronics, 2015-08, Vol.47 (8), p.2525-2531 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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6
1.3 µm GaInAsN Laserdiodes with improved High Temperature Performance
1.3 µm GaInAsN Laserdiodes with improved High Temperature Performance
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1.3 µm GaInAsN Laserdiodes with improved High Temperature Performance

Fischer, Marc ; Gollub, Dirk ; Forchel, Alfred

Japanese Journal of Applied Physics, 2002-02, Vol.41 (Part 1, No. 2B), p.1162-1163 [Periódico revisado por pares]

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7
1.3-μm continuous-wave lasing operation in GaInNAs quantum-well lasers
1.3-μm continuous-wave lasing operation in GaInNAs quantum-well lasers
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1.3-μm continuous-wave lasing operation in GaInNAs quantum-well lasers

Nakahara, K. ; Kondow, M. ; Kitatani, T. ; Larson, M.C. ; Uomi, K.

IEEE photonics technology letters, 1998-04, Vol.10 (4), p.487-488

IEEE

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8
1.3-μm CW lasing of InGaAs-GaAs quantum dots at room temperature with a threshold current of 8 mA
1.3-μm CW lasing of InGaAs-GaAs quantum dots at room temperature with a threshold current of 8 mA
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1.3-μm CW lasing of InGaAs-GaAs quantum dots at room temperature with a threshold current of 8 mA

Mukai, K. ; Nakata, Y. ; Otsubo, K. ; Sugawara, M. ; Yokoyama, N. ; Ishikawa, H.

IEEE photonics technology letters, 1999-10, Vol.11 (10), p.1205-1207

IEEE

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9
1.3-μm InAsP modulation-doped MQW lasers
1.3-μm InAsP modulation-doped MQW lasers
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1.3-μm InAsP modulation-doped MQW lasers

SHIMIZU, H ; KUMADA, K ; YAMANAKA, N ; IWAI, N ; MUKAIHARA, T ; KASUKAWA, A

IEEE journal of quantum electronics, 2000-06, Vol.36 (6), p.728-735 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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10
1.3-μm large spot size laser for efficient fiber coupling
1.3-μm large spot size laser for efficient fiber coupling
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1.3-μm large spot size laser for efficient fiber coupling

Wijnands, Frank H. G. M.

Optical engineering, 1998-12, Vol.37 (12), p.3106 [Periódico revisado por pares]

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Deste Autor:

  1. Mutran, M
  2. Ramos, L
  3. Universidade Estadual De Campinas
  4. Oliveira, F
  5. Dallari, S

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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