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Estudo da dinâmica de absorção multi-fotônica do GaN através da formatação de pulsos
Estudo da dinâmica de absorção multi-fotônica do GaN através da formatação de pulsos
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo da dinâmica de absorção multi-fotônica do GaN através da formatação de pulsos

R. J. Martins J. P Siqueira; J Dipoldi; Cleber Renato Mendonça; Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC (6. 2016 São Carlos)

Livro de Resumos São Carlos : Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2016

São Carlos Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2016

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
Estudo do processo de incubação na microfabricação com pulsos de femtossegundos em GaN
Estudo do processo de incubação na microfabricação com pulsos de femtossegundos em GaN
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do processo de incubação na microfabricação com pulsos de femtossegundos em GaN

Bruna de Lima Fermiano Cleber Renato Mendonça; Kelly Tasso de Paula; Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC (12. 2022 São Carlos)

Livro de Resumos São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022

São Carlos Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2022

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD033863 )(Acessar)

3
Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments
Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments

Alexis C. Vilas Bôas M.A.A. de Melo; R. B. B Santos; R Giacomini; Nilberto H Medina; L. E Seixas; S Finco; F. R Palomo; A Romero-Maestre; Marcilei A Guazzelli

Microelectronics Reliability Amsterdam: Elsevier, 2021 v. 116, janeiro de 2021, número do artigo: 114000

Amsterdam 2021

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4
Radiation Hardness of GaN HEMTs to TID Effects: COTS for harsh environments
Radiation Hardness of GaN HEMTs to TID Effects: COTS for harsh environments
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Radiation Hardness of GaN HEMTs to TID Effects: COTS for harsh environments

Alexis C Vilas Bôas M A A de Melo; R B B Santos; R Giacomini; Nilberto Heder Medina; L E Seixas; S Finco; F R Palomo; A Romero-Maestre; Marcilei A Guazzelli; European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS) (19th 2019 MONTPELLIER, FRANCE)

New York IEEE 2022

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5
Heavy Ions Testing of an All-Convolutional Neural Network for Image Classification Evolved by Genetic Algorithms and Implemented on SRAM-Based FPGA
Heavy Ions Testing of an All-Convolutional Neural Network for Image Classification Evolved by Genetic Algorithms and Implemented on SRAM-Based FPGA
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Heavy Ions Testing of an All-Convolutional Neural Network for Image Classification Evolved by Genetic Algorithms and Implemented on SRAM-Based FPGA

Fabio Benevenuti Ádria Oliveira; Israel da Costa Lopes; Fernanda Kastensmidt; Nilberto Heder Medina; Nemitala Added; Vitor Ângelo Paulino de Aguiar; Marcilei Aparecida Guazzelli; European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS) (19th 2019 MONTPELLIER, FRANCE)

New York IEEE 2022

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6
CariGANs: unpaired photo-to-caricature translation
CariGANs: unpaired photo-to-caricature translation
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

CariGANs: unpaired photo-to-caricature translation

Cao, Kaidi ; Liao, Jing ; Yuan, Lu

ACM transactions on graphics, 2019-01, Vol.37 (6), p.1-14 [Periódico revisado por pares]

ACM

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7
The 2018 GaN power electronics roadmap
The 2018 GaN power electronics roadmap
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The 2018 GaN power electronics roadmap

Amano, H ; Baines, Y ; Beam, E ; Borga, Matteo ; Bouchet, T ; Chalker, Paul R ; Charles, M ; Chen, Kevin J ; Chowdhury, Nadim ; Chu, Rongming ; De Santi, Carlo ; De Souza, Maria Merlyne ; Decoutere, Stefaan ; Di Cioccio, L ; Eckardt, Bernd ; Egawa, Takashi ; Fay, P ; Freedsman, Joseph J ; Guido, L ; Häberlen, Oliver ; Haynes, Geoff ; Heckel, Thomas ; Hemakumara, Dilini ; Houston, Peter ; Hu, Jie ; Hua, Mengyuan ; Huang, Qingyun ; Huang, Alex ; Jiang, Sheng ; Kawai, H ; Kinzer, Dan ; Kuball, Martin ; Kumar, Ashwani ; Lee, Kean Boon ; Li, Xu ; Marcon, Denis ; März, Martin ; McCarthy, R ; Meneghesso, Gaudenzio ; Meneghini, Matteo ; Morvan, E ; Nakajima, A ; Narayanan, E M S ; Oliver, Stephen ; Palacios, Tomás ; Piedra, Daniel ; Plissonnier, M ; Reddy, R ; Sun, Min ; Thayne, Iain ; Torres, A ; Trivellin, Nicola ; Unni, V ; Uren, Michael J ; Van Hove, Marleen ; Wallis, David J ; Wang, J ; Xie, J ; Yagi, S ; Yang, Shu ; Youtsey, C ; Yu, Ruiyang ; Zanoni, Enrico ; Zeltner, Stefan ; Zhang, Yuhao

Journal of physics. D, Applied physics, 2018-04, Vol.51 (16), p.163001 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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8
Tunable Photocatalytic Properties of GaN‐Based Two‐Dimensional Heterostructures
Tunable Photocatalytic Properties of GaN‐Based Two‐Dimensional Heterostructures
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Tunable Photocatalytic Properties of GaN‐Based Two‐Dimensional Heterostructures

Wang, Guang‐Zhao ; Dang, Sui‐Hu ; Zhao, Wen‐Xi ; Li, Ya‐Dong ; Xiao, Shu‐Yuan ; Zhong, Ming‐Min

physica status solidi (b), 2018-08, Vol.255 (8), p.n/a [Periódico revisado por pares]

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9
AlGaN/GaN Heterostructures Electrical Performance by Altering GaN/Sapphire Buffers Growth Pressure and Low‐Temperature GaN Interlayers Application
AlGaN/GaN Heterostructures Electrical Performance by Altering GaN/Sapphire Buffers Growth Pressure and Low‐Temperature GaN Interlayers Application
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

AlGaN/GaN Heterostructures Electrical Performance by Altering GaN/Sapphire Buffers Growth Pressure and Low‐Temperature GaN Interlayers Application

Wośko, Mateusz ; Paszkiewicz, Bogdan ; Paszkiewicz, Regina

Crystal research and technology (1979), 2021-12, Vol.56 (12), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
GaN on GaN Crystals for Power Device Applications
GaN on GaN Crystals for Power Device Applications
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

GaN on GaN Crystals for Power Device Applications

FUJIKURA, Hajime

The Journal of The Institute of Electrical Engineers of Japan, 2017/10/01, Vol.137(10), pp.685-688 [Periódico revisado por pares]

The Institute of Electrical Engineers of Japan

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Deste Autor:

  1. Medina, N
  2. Guazzelli, M
  3. Finco, S
  4. Seixas, L
  5. Mendonça, C

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
  2. Technology
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  5. Physics

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