Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
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Material Type: Artigo
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Influence of surface states on the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistorsJogai, B.Journal of applied physics, 2003-02, Vol.93 (3), p.1631-1635 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Fine structure on the green band in ZnOReynolds, D. C. ; Look, D. C. ; Jogai, B.Journal of applied physics, 2001-06, Vol.89 (11), p.6189-6191 [Periódico revisado por pares]United States: The American Physical SocietyTexto completo disponível |
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3 |
Material Type: Artigo
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Free electron distribution in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistorsJogai, B.Journal of applied physics, 2002-03, Vol.91 (6), p.3721-3729 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Three-dimensional strain field calculations in coupled InAs/GaAs quantum dotsJogai, B.Journal of applied physics, 2000-11, Vol.88 (9), p.5050-5055 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Three-dimensional strain field calculations in multiple InN/AlN wurtzite quantum dotsJogai, B.Journal of applied physics, 2001-07, Vol.90 (2), p.699-704 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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6 |
Material Type: Artigo
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Valence-band ordering in ZnOReynolds, D. C. ; Look, D. C. ; Jogai, B. ; Litton, C. W. ; Cantwell, G. ; Harsch, W. C.Physical review. B, Condensed matter, 1999-07, Vol.60 (4), p.2340-2344 [Periódico revisado por pares]Sem texto completo |
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Material Type: Artigo
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Parasitic Hole Channels in AlGaN/GaN Heterojunction StructuresJogai, B.physica status solidi (b), 2002-10, Vol.233 (3), p.506-518 [Periódico revisado por pares]Berlin: WILEY-VCH VerlagTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Combined effects of screening and band gap renormalization on the energy of optical transitions in ZnO and GaNReynolds, D. C. ; Look, D. C. ; Jogai, B.Journal of applied physics, 2000-11, Vol.88 (10), p.5760-5763 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Neutral-donor–bound-exciton complexes in ZnO crystalsReynolds, D. C. ; Look, D. C. ; Jogai, B. ; Litton, C. W. ; Collins, T. C. ; Harsch, W. ; Cantwell, G.Physical review. B, Condensed matter, 1998-05, Vol.57 (19), p.12151-12155 [Periódico revisado por pares]Sem texto completo |
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10 |
Material Type: Artigo
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Effect of electromechanical coupling on the strain in AlGaN/GaN heterojunction field effect transistorsJogai, B. ; Albrecht, J. D. ; Pan, E.Journal of applied physics, 2003-09, Vol.94 (6), p.3984-3989 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |