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Dielectric Properties of Oligonucleotides on the Surface of Si Nanosandwich Structures

Fomin, M. ; Chernev, A. ; Bagraev, N. ; Klyachkin, L. ; Emelyanov, A. ; Dubina, M.

Semiconductors, 2018, Vol.52(5), pp.612-614 [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Density dependence of electron mobility in the accumulation mode for fully depleted SOI films

Naumova, O. ; Zaitseva, E. ; Fomin, B. ; Ilnitsky, M. ; Popov, V.

Semiconductors, 2015, Vol.49(10), pp.1316-1322 [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Study of the Structural and Emission Properties of Ge(Si) Quantum Dots Ordered on the Si(001) Surface

Smagina, Zh. ; Zinovyev, V. ; Krivyakin, G. ; Rodyakina, E. ; Kuchinskaya, P. ; Fomin, B. ; Yablonskiy, A. ; Stepikhova, M. ; Novikov, A. ; Dvurechenskii, A.

Semiconductors, 2018, Vol.52(9), pp.1150-1155 [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Defect Formation under Nitrogen-Ion Implantation and Subsequent Annealing in GaAs Structures with an Uncovered Surface and a Surface Covered with an AlN Film

Sobolev, N. ; Sakharov, V. ; Serenkov, I. ; Bondarev, A. ; Karabeshkin, K. ; Fomin, E. ; Kalyadin, A. ; Mikoushkin, V. ; Shek, E. ; Sherstnev, E.

Semiconductors, 2019, Vol.53(4), pp.415-418 [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Formation of a quasi-periodic boron distribution in silicon, initiated by ion implantation

Myasnikov, A. ; Obodnikov, V. ; Seryapin, V. ; Tishkovskii, E. ; Fomin, B. ; Cherepov, E.

Semiconductors, 1997, Vol.31(3), pp.279-282 [Periódico revisado por pares]

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