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Behavior of Lithium Donors in Bulk Single-Crystal Isotopically Pure 28Si1 –x72Gex Alloys
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Behavior of Lithium Donors in Bulk Single-Crystal Isotopically Pure 28Si1 –x72Gex Alloys

Ezhevskii, A. A. ; Sennikov, P. G. ; Guseinov, D. V. ; Soukhorukov, A. V. ; Kalinina, E. A. ; Abrosimov, N. V.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-10, Vol.54 (10), p.1336-1340 [Periódico revisado por pares]

Moscow: Pleiades Publishing

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2
Behavior of Phosphorus Donors in Bulk Single-Crystal Monoisotopic 28Si1 – x72Gex Alloys
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Behavior of Phosphorus Donors in Bulk Single-Crystal Monoisotopic 28Si1 – x72Gex Alloys

Ezhevskii, A. A. ; Sennikov, P. G. ; Guseinov, D. V. ; Soukhorukov, A. V. ; Kalinina, E. A. ; Abrosimov, N. V.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-09, Vol.54 (9), p.1123-1126 [Periódico revisado por pares]

Moscow: Pleiades Publishing

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3
Behavior of Lithium Donors in Bulk Single-Crystal Isotopically Pure .sup.28Si.sub.1 -.sub.x.sup.72Ge.sub.x Alloys
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Behavior of Lithium Donors in Bulk Single-Crystal Isotopically Pure .sup.28Si.sub.1 -.sub.x.sup.72Ge.sub.x Alloys

Ezhevskii, A. A ; Sennikov, P. G ; Guseinov, D. V ; Soukhorukov, A. V ; Kalinina, E. A ; Abrosimov, N. V

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-10, Vol.54 (10), p.1336 [Periódico revisado por pares]

Springer

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4
Behavior of Phosphorus Donors in Bulk Single-Crystal Monoisotopic .sup.28Si.sub.1 - .sub.x.sup.72Ge.sub.x Alloys
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Behavior of Phosphorus Donors in Bulk Single-Crystal Monoisotopic .sup.28Si.sub.1 - .sub.x.sup.72Ge.sub.x Alloys

Ezhevskii, A. A ; Sennikov, P. G ; Guseinov, D. V ; Soukhorukov, A. V ; Kalinina, E. A ; Abrosimov, N. V

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-09, Vol.54 (9), p.1123 [Periódico revisado por pares]

Springer

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5
Fabrication of nanocrystalline silicon layers by plasma enhanced chemical vapor deposition from silicon tetrafluoride
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Fabrication of nanocrystalline silicon layers by plasma enhanced chemical vapor deposition from silicon tetrafluoride

Sennikov, P. G. ; Golubev, S. V. ; Shashkin, V. I. ; Pryakhin, D. A. ; Drozdov, M. N. ; Andreev, B. A. ; Drozdov, Yu. N. ; Kuznetsov, A. S. ; Pohl, H. -J.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2009-07, Vol.43 (7), p.968-972 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica

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6
Spectroscopic parameters of the absorption bands related to the local vibrational modes of carbon and oxygen impurities in silicon enriched with 28Si, 29Si, and 30Si isotopes
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Spectroscopic parameters of the absorption bands related to the local vibrational modes of carbon and oxygen impurities in silicon enriched with 28Si, 29Si, and 30Si isotopes

Sennikov, P. G. ; Kotereva, T. V. ; Kurganov, A. G. ; Andreev, B. A. ; Niemann, H. ; Schiel, D. ; Emtsev, V. V. ; Pohl, H. -J.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2005-03, Vol.39 (3), p.300-307 [Periódico revisado por pares]

Pleiades Publishing Ltd

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