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Production of acceptor complexes in sol-gel ZnO thin films by Sb doping
Production of acceptor complexes in sol-gel ZnO thin films by Sb doping
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Production of acceptor complexes in sol-gel ZnO thin films by Sb doping

Nasser, Ramzi ; Elhouichet, Habib

Journal of luminescence, 2018-04, Vol.196, p.11-19 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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Electronic structure, photoluminescence and phosphorescence properties in BaSc2Si3O10:Eu2+, RE3+ (RE3+ = Nd3+, Tm3+, Dy3+ and Tb3+) phosphors
Electronic structure, photoluminescence and phosphorescence properties in BaSc2Si3O10:Eu2+, RE3+ (RE3+ = Nd3+, Tm3+, Dy3+ and Tb3+) phosphors
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Electronic structure, photoluminescence and phosphorescence properties in BaSc2Si3O10:Eu2+, RE3+ (RE3+ = Nd3+, Tm3+, Dy3+ and Tb3+) phosphors

Li, Gen ; Wang, Yuhua ; Guo, Haijie ; Liu, Jie ; Liu, Dongwei ; Feng, Peng

Journal of luminescence, 2017-12, Vol.192, p.98-104 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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Lanthanide 4f-electron binding energies and the nephelauxetic effect in wide band gap compounds
Lanthanide 4f-electron binding energies and the nephelauxetic effect in wide band gap compounds
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Lanthanide 4f-electron binding energies and the nephelauxetic effect in wide band gap compounds

Dorenbos, Pieter

Journal of luminescence, 2013-04, Vol.136, p.122-129 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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The nature of Bi3+ luminescence in the double perovskite, La2LiSbO6
The nature of Bi3+ luminescence in the double perovskite, La2LiSbO6
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The nature of Bi3+ luminescence in the double perovskite, La2LiSbO6

Srivastava, A.M. ; Comanzo, H.A. ; Brik, M.G.

Journal of luminescence, 2017-12, Vol.192, p.620-625 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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Ultraviolet electroluminescence from n-ZnO/NiO/p-GaN light-emitting diode fabricated by MOCVD
Ultraviolet electroluminescence from n-ZnO/NiO/p-GaN light-emitting diode fabricated by MOCVD
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Ultraviolet electroluminescence from n-ZnO/NiO/p-GaN light-emitting diode fabricated by MOCVD

Wang, Hui ; Zhao, Yang ; Wu, Chao ; Dong, Xin ; Zhang, Baolin ; Wu, Guoguang ; Ma, Yan ; Du, Guotong

Journal of luminescence, 2015-02, Vol.158, p.6-10 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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6
Luminescence and energy transfer mechanisms in CaWO4 single crystals
Luminescence and energy transfer mechanisms in CaWO4 single crystals
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Luminescence and energy transfer mechanisms in CaWO4 single crystals

Spassky, D. ; Mikhailin, V. ; Nazarov, M. ; Ahmad-Fauzi, M.N. ; Zhbanov, A.

Journal of luminescence, 2012-10, Vol.132 (10), p.2753-2762 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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7
The electronic structure of lanthanide doped compounds with 3d, 4d, 5d, or 6d conduction band states
The electronic structure of lanthanide doped compounds with 3d, 4d, 5d, or 6d conduction band states
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The electronic structure of lanthanide doped compounds with 3d, 4d, 5d, or 6d conduction band states

Dorenbos, Pieter

Journal of luminescence, 2014-07, Vol.151, p.224-228 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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8
Optical nonlinearities associated to applied electric fields in parabolic two-dimensional quantum rings
Optical nonlinearities associated to applied electric fields in parabolic two-dimensional quantum rings
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Optical nonlinearities associated to applied electric fields in parabolic two-dimensional quantum rings

Duque, C.M. ; Morales, A.L. ; Mora-Ramos, M.E. ; Duque, C.A.

Journal of luminescence, 2013-11, Vol.143, p.81-88 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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9
The effect of band-tail states on the thermal stability of the infrared stimulated luminescence from K-feldspar
The effect of band-tail states on the thermal stability of the infrared stimulated luminescence from K-feldspar
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The effect of band-tail states on the thermal stability of the infrared stimulated luminescence from K-feldspar

Li, Bo ; Li, Sheng-Hua

Journal of luminescence, 2013-04, Vol.136, p.5-10 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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10
H super(-) ion implantation induced ten-fold increase of photoluminescence efficiency in single layer InAs/GaAs quantum dots
H super(-) ion implantation induced ten-fold increase of photoluminescence efficiency in single layer InAs/GaAs quantum dots
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H super(-) ion implantation induced ten-fold increase of photoluminescence efficiency in single layer InAs/GaAs quantum dots

Sreekumar, R ; Mandal, A ; Chakrabarti, S ; Gupta, S K

Journal of luminescence, 2014-09, Vol.153, p.109-117 [Periódico revisado por pares]

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