skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Refinado por: Nome da Publicação: Journal of Crystal Growth remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Measurement of nitrogen atomic flux for RF-MBE growth of GaN and AlN on Si substrates
Measurement of nitrogen atomic flux for RF-MBE growth of GaN and AlN on Si substrates
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Measurement of nitrogen atomic flux for RF-MBE growth of GaN and AlN on Si substrates

Ohachi, T. ; Yamabe, N. ; Shimomura, H. ; Shimamura, T. ; Ariyada, O. ; Wada, M.

Journal of crystal growth, 2009-05, Vol.311 (10), p.2987-2991 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
GaSb quantum rings grown by metal organic molecular beam epitaxy
GaSb quantum rings grown by metal organic molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

GaSb quantum rings grown by metal organic molecular beam epitaxy

Odashima, S. ; Sakurai, S. ; Wada, M. ; Suemune, I.

Journal of crystal growth, 2011-05, Vol.323 (1), p.233-235 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Role of excited nitrogen species in the growth of GaN by RF–MBE
Role of excited nitrogen species in the growth of GaN by RF–MBE
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Role of excited nitrogen species in the growth of GaN by RF–MBE

Kikuchi, T. ; Somintac, A.S. ; Ariyada, O. ; Wada, M. ; Ohachi, T.

Journal of crystal growth, 2006-07, Vol.292 (2), p.221-226 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Control of nitrogen flux for growth of cubic GaN on 3C-SiC/Si by RF-MBE
Control of nitrogen flux for growth of cubic GaN on 3C-SiC/Si by RF-MBE
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Control of nitrogen flux for growth of cubic GaN on 3C-SiC/Si by RF-MBE

Ohachi, T. ; Kikuchi, T. ; Miyauchi, K. ; Ito, Y. ; Takagi, R. ; Hogiri, M. ; Fujita, K. ; Ariyada, O. ; Wada, M.

Journal of crystal growth, 2005-02, Vol.275 (1), p.e1197-e1202 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Plasma characteristics of a multi-cusp plasma-sputter-type ion source for thin film formation of gallium nitride
Plasma characteristics of a multi-cusp plasma-sputter-type ion source for thin film formation of gallium nitride
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Plasma characteristics of a multi-cusp plasma-sputter-type ion source for thin film formation of gallium nitride

Flauta, R. ; Kasuya, T. ; Ohachi, T. ; Wada, M.

Journal of crystal growth, 2002-04, Vol.237, p.2116-2120 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Investigation of Zn diffusion in InP using dimethylzinc as Zn source
Investigation of Zn diffusion in InP using dimethylzinc as Zn source
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Investigation of Zn diffusion in InP using dimethylzinc as Zn source

Wada, M. ; Sakakibara, K. ; Higuchi, M. ; Sekiguchi, Y.

Journal of crystal growth, 1991-11, Vol.114 (3), p.321-326 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
3C-SiC/Si template growth and atomic layer epitaxy of cubic GaN by RF-MBE
3C-SiC/Si template growth and atomic layer epitaxy of cubic GaN by RF-MBE
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

3C-SiC/Si template growth and atomic layer epitaxy of cubic GaN by RF-MBE

Kikuchi, T. ; Miyauchi, K. ; Wada, M. ; Ohachi, T.

Journal of crystal growth, 2005-02, Vol.275 (1), p.e1215-e1221 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
In-situ monitoring by spectroscopic ellipsometry in ZnSe crystal growth by molecular beam epitaxy
In-situ monitoring by spectroscopic ellipsometry in ZnSe crystal growth by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

In-situ monitoring by spectroscopic ellipsometry in ZnSe crystal growth by molecular beam epitaxy

Kato, Keishi ; Akinaga, Fujio ; Kamai, Tsutomu ; Wada, Mitsugu

Journal of crystal growth, 1994-04, Vol.138 (1), p.373-378 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Polymorph control of glycine by antisolvent crystallization using nitrogen minute-bubbles
Polymorph control of glycine by antisolvent crystallization using nitrogen minute-bubbles
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Polymorph control of glycine by antisolvent crystallization using nitrogen minute-bubbles

Matsumoto, Masakazu ; Wada, Yoshinari ; Oonaka, Aya ; Onoe, Kaoru

Journal of crystal growth, 2013-06, Vol.373, p.73-77 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Development of hydroxyapatite crystallization utilizing the contact reaction of a minute droplet with atmospheric plasmas
Development of hydroxyapatite crystallization utilizing the contact reaction of a minute droplet with atmospheric plasmas
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Development of hydroxyapatite crystallization utilizing the contact reaction of a minute droplet with atmospheric plasmas

Wada, Y. ; Kudoh, K. ; Matsumoto, M. ; Onoe, K.

Journal of crystal growth, 2017-05, Vol.466, p.1-5 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.