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Refinado por: autor: Williams, Da remover Nome da Publicação: Journal of Applied Physics remover
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Artigo
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Voltage-controlled electron tunneling from a single self-assembled quantum dot embedded in a two-dimensional-electron-gas-based photovoltaic cell

Mar, J. D. ; Xu, X. L. ; Baumberg, J. J. ; Irvine, A. C. ; Stanley, C. ; Williams, D. A.

Journal of Applied Physics, 01 September 2011, Vol.110(5) [Periódico revisado por pares]

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2
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Artigo
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Nucleation and propagation of domains walls in a Co ∕ Pt multilayer wire

San Emeterio Alvarez, L. ; Burnell, G. ; Marrows, C. H. ; Wang, K.-Y. ; Blackburn, A. M. ; Williams, D. A.

10th Joint Mmm/Intermag Conference, Baltimore, Maryland (USA) (7-11 January 2007): Journal of Applied Physics, 01 May 2007, Vol.101(9) [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Cryogenic instrumentation for fast current measurement in a silicon single electron transistor

Ferrus, T. ; Hasko, D. G. ; Morrissey, Q. R. ; Burge, S. R. ; Freeman, E. J. ; French, M. J. ; Lam, A. ; Creswell, L. ; Collier, R. J. ; Williams, D. A. ; Briggs, G. A. D.

Journal of Applied Physics, 01 August 2009, Vol.106(3) [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Domain imaging and domain wall propagation in (Ga, Mn)As thin films with tensile strain

Wang, K. Y. ; Rushforth, A. W. ; Grant, V. A. ; Campion, R. P. ; Edmonds, K. W. ; Staddon, C. R. ; Foxon, C. T. ; Gallagher, B. L. ; Wunderlich, J. ; Williams, D. A.

Journal of Applied Physics, 15 May 2007, Vol.101(10) [Periódico revisado por pares]

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Microwave excitation of localized electrons in phosphorus-doped silicon single electron transistors

Creswell, L. A. ; Hasko, D. G. ; Williams, D. A.

Journal of Applied Physics, 15 May 2009, Vol.105(10) [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Indirect observation of periodic charge polarization in silicon isolated double quantum dots

Tanner, M. G. ; Chapman, P. ; Podd, G. ; Williams, D. A.

Journal of Applied Physics, 15 August 2009, Vol.106(4) [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Electron transport through a silicon-germanium double quantum dot at 40 mK

Gandolfo, D. S. ; Williams, D. A. ; Qin, H.

Journal of Applied Physics, 01 January 2007, Vol.101(1) [Periódico revisado por pares]

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8
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Artigo
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Weak localization and correlation effects in thin-film degenerate n -type silicon

Troup, A. S. ; Wunderlich, J. ; Williams, D. A.

Journal of Applied Physics, 01 February 2007, Vol.101(3) [Periódico revisado por pares]

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9
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Artigo
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Characterization of a silicon–germanium quantum dot structure at 4.2 K and 40 mK

Gandolfo, D. S. ; Williams, D. A. ; Qin, H.

Journal of Applied Physics, 15 March 2005, Vol.97(6) [Periódico revisado por pares]

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Selective epitaxial growth in silicon on insulator: Planarity and mass flow

Williams, D. A. ; Mcmahon, R. A. ; Ahmed, H. ; Garry, G. ; Karapiperis, L. ; Dieumegard, D.

Journal of Applied Physics, 01 May 1989, Vol.65(9), pp.3718-3721 [Periódico revisado por pares]

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