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Refinado por: autor: Fomin, V. M. remover Nome da Publicação: Journal of Applied Physics remover nível superior: Recursos Online remover
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Quantum transport in a nanosize silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Croitoru, M. D. ; Gladilin, V. N. ; Fomin, V. M. ; Devreese, J. T. ; Magnus, W. ; Schoenmaker, W. ; Sorée, B.

Journal of Applied Physics, 15 January 2003, Vol.93(2), pp.1230-1240 [Periódico revisado por pares]

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Distribution of fields and charge carriers in cylindrical nanosize silicon-based metal–oxide–semiconductor structures

Pokatilov, E. P. ; Fomin, V. M. ; Balaban, S. N. ; Gladilin, V. N. ; Klimin, S. N. ; Devreese, J. T. ; Magnus, W. ; Schoenmaker, W. ; Collaert, N. ; Van Rossum, M. ; De Meyer, K.

Journal of Applied Physics, 01 May 1999, Vol.85(9), pp.6625-6631 [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Quantum transport in a nanosize double-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Croitoru, M. D. ; Gladilin, V. N. ; Fomin, V. M. ; Devreese, J. T. ; Magnus, W. ; Schoenmaker, W. ; Sorée, B.

Journal of Applied Physics, 15 August 2004, Vol.96(4), pp.2305-2310 [Periódico revisado por pares]

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