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Artigo
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Properties of molecular‐beam‐epitaxy‐grown and O + ‐implanted GaAs and their application to the formation of a buried collector of an AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor

Ota, Y. ; Yanagihara, M. ; Inada, M.

Journal of Applied Physics, 15 July 1988, Vol.64(2), pp.926-930 [Periódico revisado por pares]

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2
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Artigo
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Effects of substituted elements into the Cr layer on a CoNiCr/Cr sputtered hard disk

Tani, N. ; Hashimoto, M. ; Murata, Y. ; Ishikawa, M. ; Ota, Y. ; Nakamura, K.

Journal of Applied Physics, 15 June 1990, Vol.67(12), pp.7507-7509 [Periódico revisado por pares]

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3
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Artigo
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XeCl laser ablative deposition and characterization of yttria‐stabilized zirconia thin films on glass and CeO 2 ‐Sm 2 O 3

Kokai, F. ; Amano, K. ; Ota, H. ; Ochiai, Y. ; Umemura, F.

Journal of Applied Physics, 15 July 1992, Vol.72(2), pp.699-704 [Periódico revisado por pares]

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4
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Artigo
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Single‐crystal CsBr infrared fibers

Mimura, Y. ; Okamura, Y. ; Ota, C.

Journal of Applied Physics, August 1982, Vol.53(8), pp.5491-5497 [Periódico revisado por pares]

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