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Resistive switching mechanisms relating to oxygen vacancies migration in both interfaces in Ti/HfOx/Pt memory devices
Resistive switching mechanisms relating to oxygen vacancies migration in both interfaces in Ti/HfOx/Pt memory devices
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Resistive switching mechanisms relating to oxygen vacancies migration in both interfaces in Ti/HfOx/Pt memory devices

Lin, Y. S. ; Zeng, F. ; Tang, S. G. ; Liu, H. Y. ; Chen, C. ; Gao, S. ; Wang, Y. G. ; Pan, F.

Journal of applied physics, 2013-02, Vol.113 (6) [Periódico revisado por pares]

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2
Migration of interfacial oxygen ions modulated resistive switching in oxide-based memory devices
Migration of interfacial oxygen ions modulated resistive switching in oxide-based memory devices
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Migration of interfacial oxygen ions modulated resistive switching in oxide-based memory devices

Chen, C. ; Gao, S. ; Zeng, F. ; Tang, G. S. ; Li, S. Z. ; Song, C. ; Fu, H. D. ; Pan, F.

Journal of applied physics, 2013-07, Vol.114 (1) [Periódico revisado por pares]

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3
Fracture problems of a superconducting slab with a central kinked crack
Fracture problems of a superconducting slab with a central kinked crack
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Fracture problems of a superconducting slab with a central kinked crack

Gao, S W ; Feng, W J ; Liu, J X

Journal of applied physics, 2013-12, Vol.114 (24) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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4
Enhanced resistive switching effect in Ag nanoparticle embedded BaTiO3 thin films
Enhanced resistive switching effect in Ag nanoparticle embedded BaTiO3 thin films
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Enhanced resistive switching effect in Ag nanoparticle embedded BaTiO3 thin films

Au, K. ; Gao, X. S. ; Wang, Juan ; Bao, Z. Y. ; Liu, J. M. ; Dai, J. Y.

Journal of applied physics, 2013-07, Vol.114 (2) [Periódico revisado por pares]

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5
Thickness dependences of ferroelectric and dielectric properties in (Bi3.15Nd0.85)Ti3O12 thin films
Thickness dependences of ferroelectric and dielectric properties in (Bi3.15Nd0.85)Ti3O12 thin films
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Thickness dependences of ferroelectric and dielectric properties in (Bi3.15Nd0.85)Ti3O12 thin films

Gao, X. S. ; Wang, J.

Journal of applied physics, 2006-04, Vol.99 (7) [Periódico revisado por pares]

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6
Pressure effect on the Fermi resonance doublets of ν 1 ∼ ν 12 and ν 1 + ν 6 ∼ ν 8 in pyridine
Pressure effect on the Fermi resonance doublets of ν 1 ∼ ν 12 and ν 1 + ν 6 ∼ ν 8 in pyridine
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Pressure effect on the Fermi resonance doublets of ν 1 ∼ ν 12 and ν 1 + ν 6 ∼ ν 8 in pyridine

Jiang, X L ; Zhou, M ; Li, Z W ; Sun, C L ; Gao, S Q

Journal of applied physics, 2011-12, Vol.110 (11), p.113101-113101-5 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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7
Ferroelectric behaviors and charge carriers in Nd-doped Bi4Ti3O12 thin films
Ferroelectric behaviors and charge carriers in Nd-doped Bi4Ti3O12 thin films
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ferroelectric behaviors and charge carriers in Nd-doped Bi4Ti3O12 thin films

Gao, X. S. ; Xue, J. M. ; Wang, J.

Journal of applied physics, 2005-02, Vol.97 (3) [Periódico revisado por pares]

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8
Multiferroic BiFeO3 thin films deposited on SrRuO3 buffer layer by rf sputtering
Multiferroic BiFeO3 thin films deposited on SrRuO3 buffer layer by rf sputtering
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Multiferroic BiFeO3 thin films deposited on SrRuO3 buffer layer by rf sputtering

Zheng, R. Y. ; Gao, X. S. ; Zhou, Z. H. ; Wang, J.

Journal of applied physics, 2007-03, Vol.101 (5) [Periódico revisado por pares]

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9
Two-level hierarchical stripe domains and enhanced piezoelectricity of rapid hot-press sintered BiFeO3 ceramics
Two-level hierarchical stripe domains and enhanced piezoelectricity of rapid hot-press sintered BiFeO3 ceramics
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Two-level hierarchical stripe domains and enhanced piezoelectricity of rapid hot-press sintered BiFeO3 ceramics

Zheng, S. H. ; Li, Z. W. ; Zhang, C. X. ; Li, Y. Q. ; Lin, L. ; Yan, Z. B. ; Zhou, X. H. ; Wang, Y. P. ; Gao, X. S. ; Liu, J.-M.

Journal of applied physics, 2018-11, Vol.124 (19) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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10
Domain structures in circular ferroelectric nano-islands with charged defects: A Monte Carlo simulation
Domain structures in circular ferroelectric nano-islands with charged defects: A Monte Carlo simulation
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Domain structures in circular ferroelectric nano-islands with charged defects: A Monte Carlo simulation

Chen, D. P. ; Zhang, Y. ; Zhang, X. M. ; Lin, L. ; Yan, Z. B. ; Gao, X. S. ; Liu, J.-M.

Journal of applied physics, 2017-07, Vol.122 (4) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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