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Refinado por: Nome da Publicação: Journal of Applied Physics

Result Number	Material Type	Record Details and Options
1	Material Type: Artigo	Discrete trapping levels of localized states in amorphous silicon nitride Novikov, Yu. N. ; Gritsenko, V. A. Journal of applied physics, 2024-07, Vol.136 (1) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
2	Material Type: Artigo	Hole-alleviated trap transport in dielectrics Novikov, Yu. N. Journal of applied physics, 2018-03, Vol.123 (12) [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
3	Material Type: Artigo	Charge transport-accumulation in multilayer structures with Si3N4 and thick(5.5 nm) SiO2 Novikov, Yu. N. Journal of applied physics, 2015-04, Vol.117 (15) [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
4	Material Type: Artigo	Short-range order in amorphous SiOx by x ray photoelectron spectroscopy Novikov, Yu. N. ; Gritsenko, V. A. Journal of applied physics, 2011-07, Vol.110 (1) [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
5	Material Type: Artigo	Charge transport in HfO2 due to multiphonon traps ionization mechanism in SiO2/HfO2 stacks Novikov, Yu. N. Journal of applied physics, 2013-01, Vol.113 (2) [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
6	Material Type: Artigo	Two-bands charge transport in silicon nitride due to phonon-assisted trap ionization Nasyrov, K. A. ; Gritsenko, V. A. ; Novikov, Yu. N. ; Lee, E.-H. ; Yoon, S. Y. ; Kim, C. W. Journal of applied physics, 2004-10, Vol.96 (8), p.4293-4296 [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
7	Material Type: Artigo	Excess silicon at the silicon nitride/thermal oxide interface in oxide–nitride–oxide structures Gritsenko, V. A. ; Wong, Hei ; Xu, J. B. ; Kwok, R. M. ; Petrenko, I. P. ; Zaitsev, B. A. ; Morokov, Yu. N. ; Novikov, Yu. N. Journal of applied physics, 1999-09, Vol.86 (6), p.3234-3240 [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
8	Material Type: Artigo	Charge transport-accumulation in multilayer structures with Si{sub 3}N{sub 4} and thick(5.5 nm) SiO{sub 2} Novikov, Yu. N. Journal of applied physics, 2015-04, Vol.117 (15) [Periódico revisado por pares] United States Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
9	Material Type: Artigo	Short-range order in amorphous SiO x by x ray photoelectron spectroscopy Novikov, Yu N. ; Gritsenko, V. A. Journal of applied physics, 2011-07, Vol.110 (1), p.014107-014107-4 [Periódico revisado por pares] American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
10	Material Type: Artigo	Short-range order in amorphous SiO{sub x} by x ray photoelectron spectroscopy Novikov, Yu. N. ; Gritsenko, V. A. Journal of applied physics, 2011-07, Vol.110 (1) [Periódico revisado por pares] United States Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por