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1	Material Type: Artigo		Investigation on the compensation effect of residual carbon impurities in low temperature grown Mg doped GaN films Yang, J. ; Zhao, D. G. ; Jiang, D. S. ; Chen, P. ; Liu, Z. S. ; Le, L. C. ; Li, X. J. ; He, X. G. ; Liu, J. P. ; Zhang, S. M. ; Wang, H. ; Zhu, J. J. ; Yang, H. Journal of applied physics, 2014-04, Vol.115 (16) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
2	Material Type: Artigo		Effect of light Si-doping on the near-band-edge emissions in high quality GaN Le, L. C. ; Zhao, D. G. ; Jiang, D. S. ; Wu, L. L. ; Li, L. ; Chen, P. ; Liu, Z. S. ; Zhu, J. J. ; Wang, H. ; Zhang, S. M. ; Yang, H. Journal of applied physics, 2012-09, Vol.112 (5) [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
3	Material Type: Artigo		Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green Zhang, L. Q. ; Jiang, D. S. ; Zhu, J. J. ; Zhao, D. G. ; Liu, Z. S. ; Zhang, S. M. ; Yang, H. Journal of applied physics, 2009-01, Vol.105 (2), p.023104-023104-8 [Periódico revisado por pares] American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
4	Material Type: Artigo		Effects of matrix layer composition on the structural and optical properties of self-organized InGaN quantum dots Li, Z. C. ; Liu, J. P. ; Feng, M. X. ; Zhou, K. ; Zhang, S. M. ; Wang, H. ; Li, D. Y. ; Zhang, L. Q. ; Sun, Q. ; Jiang, D. S. ; Wang, H. B. ; Yang, H. Journal of applied physics, 2013-09, Vol.114 (9) [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
5	Material Type: Artigo		A study on the spectral response of back-illuminated p-i-n AlGaN heterojunction ultraviolet photodetector Zhao, D. G. ; Zhang, S. ; Jiang, D. S. ; Zhu, J. J. ; Liu, Z. S. ; Wang, H. ; Zhang, S. M. ; Zhang, B. S. ; Yang, H. Journal of applied physics, 2011-09, Vol.110 (5), p.053701-053701-4 [Periódico revisado por pares] American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
6	Material Type: Artigo		The significant effect of the thickness of Ni film on the performance of the Ni/Au Ohmic contact to p-GaN Li, X. J. ; Zhao, D. G. ; Jiang, D. S. ; Liu, Z. S. ; Chen, P. ; Zhu, J. J. ; Le, L. C. ; Yang, J. ; He, X. G. ; Zhang, S. M. ; Zhang, B. S. ; Liu, J. P. ; Yang, H. Journal of applied physics, 2014-10, Vol.116 (16) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
7	Material Type: Artigo		The investigation on carrier distribution in InGaN/GaN multiple quantum well layers Zhu, J. H. ; Zhang, S. M. ; Wang, H. ; Zhao, D. G. ; Zhu, J. J. ; Liu, Z. S. ; Jiang, D. S. ; Qiu, Y. X. ; Yang, H. Journal of applied physics, 2011-05, Vol.109 (9), p.093117-093117-4 [Periódico revisado por pares] American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
8	Material Type: Artigo		Thermal characterization of GaN-based laser diodes by forward-voltage method Feng, M. X. ; Zhang, S. M. ; Jiang, D. S. ; Liu, J. P. ; Wang, H. ; Zeng, C. ; Li, Z. C. ; Wang, H. B. ; Wang, F. ; Yang, H. Journal of applied physics, 2012-05, Vol.111 (9), p.094513-094513-4 [Periódico revisado por pares] American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
9	Material Type: Artigo		Optical study on the size effects in BaTiO3 thin films Zhu, J. S. ; Lu, X. M. ; Jiang, W. ; Tian, W. ; Zhu, M. ; Zhang, M. S. ; Chen, X. B. ; Liu, X. ; Wang, Y. N. Journal of applied physics, 1997-02, Vol.81 (3), p.1392-1395 [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
10	Material Type: Artigo		Effect of V-defects on the performance deterioration of InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with varying barrier layer thickness Le, L. C. ; Zhao, D. G. ; Jiang, D. S. ; Li, L. ; Wu, L. L. ; Chen, P. ; Liu, Z. S. ; Yang, J. ; Li, X. J. ; He, X. G. ; Zhu, J. J. ; Wang, H. ; Zhang, S. M. ; Yang, H. Journal of applied physics, 2013-10, Vol.114 (14) [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por

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