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Refinado por: assunto: Graphene remover assunto: Engineering remover Nome da Publicação: IEEE Transactions on Electron Devices remover
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Influence of edge defects, vacancies, and potential fluctuations on transport properties of extremely scaled graphene nanoribbons.(Technical report)

Poljak, M. ; Song, E. B. ; Minsheng Wang ; Suligoj, T. ; Wang, K. L.

IEEE Transactions on Electron Devices, Dec, 2012, Vol.59(12), p.3231(8) [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Influence of band-gap opening on ballistic electron transport in bilayer graphene and graphene nanoribbon FETs.(field effect transistors)(Technical report)

Sako, R. ; Tsuchiya, H. ; Ogawa, M.

IEEE Transactions on Electron Devices, Oct, 2011, Vol.58(10), p.3300(7) [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Modeling interconnects for post-CMOS devices and comparison with copper interconnects.(complementary metal oxide semiconductors)(Technical report)

Rakheja, S. ; Naeemi, A.

IEEE Transactions on Electron Devices, May, 2011, Vol.58(5), p.1319(10) [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Scaling behaviors of graphene nanoribbon FETs: a three-dimensional quantum simulation study.(Technical report)

Ouyang, Yijian ; Youngki Yoon ; Jing Guo

IEEE Transactions on Electron Devices, Sept, 2007, Vol.54(9), p.2223(9) [Periódico revisado por pares]

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