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Decomposition of On-Current Variability of nMOS FinFETs for Prediction Beyond 20 nm

Matsukawa, T ; Liu, Y ; O'Uchi, S ; Endo, K ; Tsukada, J ; Yamauchi, H ; Ishikawa, Y ; Ota, H ; Migita, S ; Morita, Y ; Mizubayashi, W ; Sakamoto, K ; Masahara, M

IEEE Transactions on Electron Devices, August 2012, Vol.59(8), pp.2003-2010 [Periódico revisado por pares]

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Fin-Height Effect on Poly-Si/PVD-TiN Stacked-Gate FinFET Performance

Hayashida, T ; Endo, K ; Liu, Y ; O'Uchi, S ; Matsukawa, T ; Mizubayashi, W ; Migita, S ; Morita, Y ; Ota, H ; Hashiguchi, H ; Kosemura, D ; Kamei, T ; Tsukada, J ; Ishikawa, Y ; Yamauchi, H ; Ogura, A ; Masahara, M

IEEE Transactions on Electron Devices, March 2012, Vol.59(3), pp.647-653 [Periódico revisado por pares]

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IIIB-7 low barrier height Schottky diode for microwave mixer using super thin Si MBE film

Ballamy, W.C ; Ota, Y

IEEE Transactions on Electron Devices, October 1981, Vol.28(10), pp.1230-1230 [Periódico revisado por pares]

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Application of Si MBE to microwave hyperabrupt diodes

Goodwin, C.A ; Ota, Y

IEEE Transactions on Electron Devices, November 1979, Vol.26(11), pp.1796-1799 [Periódico revisado por pares]

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IIIB-5 a technique for rapidly alternating boron and arsenic doping in ion-implanted silicon molecular beam epitaxy

Mcfee, J.H ; Swartz, R.G ; Voshchenkov, A.M ; Feldman, L.C ; Ota, Y

IEEE Transactions on Electron Devices, October 1981, Vol.28(10), pp.1228-1229 [Periódico revisado por pares]

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AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors with small size fabricated by a multiple self-alignment process using one mask

Inada, M ; Ota, Y ; Nakagawa, A ; Yanagihara, M ; Hirose, T ; Eda, K

IEEE Transactions on Electron Devices, December 1987, Vol.34(12), pp.2405-2411 [Periódico revisado por pares]

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Room-temperature continuous wave vertical surface-emitting GaAs injection lasers grown by molecular-beam epitaxy

Tai, K ; Fischer, R.J ; Seabury, C.W ; Olson, N.A ; Huo, D.T.C ; Ota, Y ; Deppe, D.G ; Cho, A.Y

IEEE Transactions on Electron Devices, November 1989, Vol.36(11), p.2628 [Periódico revisado por pares]

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Monolithically integrated receiver front end: In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As p-i-n amplifier

Cheng, C.-L ; Chang, R.P.H ; Tell, B ; Parker, S.M.Z ; Ota, Y ; Vella-Coleiro, G.P ; Miller, R.C ; Zilko, J.L ; Kasper, B.L ; Brown-Goebeler, K.F ; Mattera, V.D

IEEE Transactions on Electron Devices, September 1988, Vol.35(9), pp.1439-1444 [Periódico revisado por pares]

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IIIA-8 monolithically integrated receiver front-end: In0.53Ga0.47As PIN-amplifier

Chu-Liang Cheng ; Chang, R.P.H ; Tell, B ; Zima, S.M ; Ota, Y ; Vella-Coleiro, G.P ; Miller, R.C ; Zilko, J.L ; Kasper, B.L ; Brown-Goebeler, K.F ; Mattera, V.D

IEEE Transactions on Electron Devices, November 1987, Vol.34(11), pp.2365-2365 [Periódico revisado por pares]

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Experimental Study of Self-Heating Effects in Trigate Nanowire MOSFETs Considering Device Geometry

Ota, K ; Saitoh, M ; Tanaka, C ; Nakabayashi, Y ; Numata, T

IEEE Transactions on Electron Devices, December 2012, Vol.59(12), pp.3239-3242 [Periódico revisado por pares]

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