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Refinado por: assunto: Physics remover data de publicação: 1973Até1987 remover assunto: Engineering remover Nome da Publicação: IEEE Electron Device Letters remover nível superior: Recursos Online remover
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Artigo
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Quantum effects of electrons and holes in the MOSFET inversion layer

Lin, M.-S

IEEE Electron Device Letters, November 1984, Vol.5(11), pp.487-490 [Periódico revisado por pares]

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2
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Artigo
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Importance of electron scattering with coupled plasmon-optical phonon modes in GaAs planar-doped barrier transistors

Hollis, M.A ; Palmateer, S.C ; Eastman, L.F ; Dandekar, N.V ; Smith, P.M

IEEE Electron Device Letters, December 1983, Vol.4(12), pp.440-443 [Periódico revisado por pares]

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