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Use of an asymmetric pulse profile for higher crystalline volumes from excimer laser crystallization of amorphous silicon
Use of an asymmetric pulse profile for higher crystalline volumes from excimer laser crystallization of amorphous silicon
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Use of an asymmetric pulse profile for higher crystalline volumes from excimer laser crystallization of amorphous silicon

Adikaari, A. A. D. T. ; Mudugamuwa, N. K. ; Silva, S. R. P.

Applied physics letters, 2007-04, Vol.90 (17) [Periódico revisado por pares]

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Second harmonic generation and atomic-force microscopy studies of porous silicon
Second harmonic generation and atomic-force microscopy studies of porous silicon
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Second harmonic generation and atomic-force microscopy studies of porous silicon

Aktsipetrov, O. A. ; Melnikov, A. V. ; Moiseev, Yu. N. ; Murzina, T. V. ; van Hasselt, C. W. ; Rasing, Th ; Rikken, G.

Applied physics letters, 1995-08, Vol.67 (9), p.1191-1193 [Periódico revisado por pares]

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Theory of the characteristic curves of the silver chalcogenide glass inorganic photoresists
Theory of the characteristic curves of the silver chalcogenide glass inorganic photoresists
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Theory of the characteristic curves of the silver chalcogenide glass inorganic photoresists

AMITABHA DAS ; RADI AL-JISHI

Applied physics letters, 1989-05, Vol.54 (18), p.1745-1747 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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Low-rate plasma oxidation of Si in a dilute oxygen/helium plasma for low-temperature gate quality Si/SiO2 interfaces
Low-rate plasma oxidation of Si in a dilute oxygen/helium plasma for low-temperature gate quality Si/SiO2 interfaces
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Low-rate plasma oxidation of Si in a dilute oxygen/helium plasma for low-temperature gate quality Si/SiO2 interfaces

BRIGHT, A. A ; BATEY, J ; TIERNEY, E

Applied physics letters, 1991-02, Vol.58 (6), p.619-621 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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Epitaxial crystalline films of the metallic polymer (SN) x
Epitaxial crystalline films of the metallic polymer (SN) x
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Epitaxial crystalline films of the metallic polymer (SN) x

Bright, A. A. ; Cohen, Marshall J. ; Garito, A. F. ; Heeger, A. J. ; Mikulski, C. M. ; MacDiarmid, A. G.

Applied physics letters, 1975-06, Vol.26 (11), p.612-615 [Periódico revisado por pares]

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Reduction of unintentional aluminum spikes at SiC vapor phase epitaxial layer/substrate interfaces
Reduction of unintentional aluminum spikes at SiC vapor phase epitaxial layer/substrate interfaces
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Reduction of unintentional aluminum spikes at SiC vapor phase epitaxial layer/substrate interfaces

Burk, A. A. ; Rowland, L. B.

Applied physics letters, 1996-01, Vol.68 (3), p.382-384 [Periódico revisado por pares]

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Revealing localized excitons in WSe2/β-Ga2O3
Revealing localized excitons in WSe2/β-Ga2O3
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Revealing localized excitons in WSe2/β-Ga2O3

Camila Cavalini César Ricardo Rabahi; Caique Serati de Brito; Eunji Lee; José Roberto de Toledo; Felipe Faria Cazetta; Raphael Brenon Fernandes de Oliveira; Marcelo Barbosa de Andrade; Mohamed Henini; Yuhao Zhang; Jeongyong Kim; Ingrid David Barcelos; Yara Galvão Gobato

Applied Physics Letters Melville v. 124, n. 14, p. 142104-1-142104-7 + supplementary material, Apr. 2024

Melville 2024

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD035768 )(Acessar)

8
Improved luminescence and thermal stability of semipolar (11-22) InGaN quantum dots
Improved luminescence and thermal stability of semipolar (11-22) InGaN quantum dots
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Improved luminescence and thermal stability of semipolar (11-22) InGaN quantum dots

Das, A ; Dimitrakopulos, G P ; Kotsar, Y ; Lotsari, A ; Kehagias, Th ; Komninou, Ph ; Monroy, E

Applied physics letters, 2011-05, Vol.98 (20), p.201911-201911-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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Evolution of the magnetoresistance lineshape with temperature and electric field across Nb-doped SrTiO3 interface
Evolution of the magnetoresistance lineshape with temperature and electric field across Nb-doped SrTiO3 interface
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Evolution of the magnetoresistance lineshape with temperature and electric field across Nb-doped SrTiO3 interface

Das, A. ; Jousma, S. T. ; Majumdar, A. ; Banerjee, T.

Applied physics letters, 2018-04, Vol.112 (18) [Periódico revisado por pares]

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10
Temperature rise from fracture in a Zr-based metallic glass
Temperature rise from fracture in a Zr-based metallic glass
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Temperature rise from fracture in a Zr-based metallic glass

Das, A. ; Kagebein, P. ; Küchemann, S. ; Maaß, R.

Applied physics letters, 2018-06, Vol.112 (26) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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  1. Zhang, Y
  2. Lee, E
  3. Kim, J
  4. Cavalini, C
  5. Rabahi, C

Neste Assunto:

  1. Physics
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