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Artigo
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Highly uniform, multi-stacked InGaAs/GaAs quantum dots embedded in a GaAs nanowire

Tatebayashi, J. ; Ota, Y. ; Ishida, S. ; Nishioka, M. ; Iwamoto, S. ; Arakawa, Y.

Applied Physics Letters, 08 September 2014, Vol.105(10) [Periódico revisado por pares]

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2
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Artigo
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Site-controlled formation of InAs/GaAs quantum-dot-in-nanowires for single photon emitters

Tatebayashi, J. ; Ota, Y. ; Ishida, S. ; Nishioka, M. ; Iwamoto, S. ; Arakawa, Y.

Applied Physics Letters, 25 June 2012, Vol.100(26) [Periódico revisado por pares]

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3
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Artigo
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Position dependent optical coupling between single quantum dots and photonic crystal nanocavities

Kuruma, K. ; Ota, Y. ; Kakuda, M. ; Takamiya, D. ; Iwamoto, S. ; Arakawa, Y.

Applied Physics Letters, 15 August 2016, Vol.109(7) [Periódico revisado por pares]

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4
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Artigo
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Demonstration of a three-dimensional photonic crystal nanocavity in a ⟨110⟩-layered diamond structure

Tajiri, T. ; Takahashi, S. ; Ota, Y. ; Tatebayashi, J. ; Iwamoto, S. ; Arakawa, Y.

Applied Physics Letters, 17 August 2015, Vol.107(7) [Periódico revisado por pares]

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5
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Artigo
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Circular dichroism in a three-dimensional semiconductor chiral photonic crystal

Takahashi, S. ; Tajiri, T. ; Ota, Y. ; Tatebayashi, J. ; Iwamoto, S. ; Arakawa, Y.

Applied Physics Letters, 04 August 2014, Vol.105(5) [Periódico revisado por pares]

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6
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Artigo
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Competing influence of an in-plane electric field on the Stark shifts in a semiconductor quantum dot

Nakaoka, T. ; Tamura, Y. ; Saito, T. ; Miyazawa, T. ; Watanabe, K. ; Ota, Y. ; Iwamoto, S. ; Arakawa, Y.

Applied Physics Letters, 31 October 2011, Vol.99(18) [Periódico revisado por pares]

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7
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Artigo
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Position dependent optical coupling between single quantum dots and photonic crystal nanocavities

Kuruma, K ; Takamiya, D ; Ota, Y ; Kakuda, M ; Iwamoto, S ; Arakawa, Y ; Institute of Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505

Applied Physics Letters, 15 August 2016, Vol.109(7) [Periódico revisado por pares]

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8
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Artigo
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Room-temperature continuous-wave vertical-cavity surface-emitting GaAs injection lasers

Tai, K ; Fischer, R.J ; Seabury, C.W ; Olsson, N.A ; Huo, T.D ; Ota, Y ; Cho, A.Y

Applied Physics Letters; (USA), 11 December 1989, Vol.55:24 [Periódico revisado por pares]

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9
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Artigo
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A technique for rapidly alternating boron and arsenic doping in ion‐implanted silicon molecular beam epitaxy

Swartz, R. G. ; Mcfee, J. H. ; Voshchenkov, A. M. ; Finegan, S. N. ; Ota, Y.

Applied Physics Letters, 01 February 1982, Vol.40(3), pp.239-241 [Periódico revisado por pares]

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10
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Artigo
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Room‐temperature continuous‐wave vertical‐cavity surface‐emitting GaAs injection lasers

Tai, K. ; Fischer, R. J. ; Seabury, C. W. ; Olsson, N. A. ; Huo, T‐C. D. ; Ota, Y. ; Cho, A. Y.

Applied Physics Letters, 11 December 1989, Vol.55(24), pp.2473-2475 [Periódico revisado por pares]

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