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Optoelectronic properties of laser-beam-patterned few-layer lateral MoS2 Schottky junctions
Optoelectronic properties of laser-beam-patterned few-layer lateral MoS2 Schottky junctions
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Optoelectronic properties of laser-beam-patterned few-layer lateral MoS2 Schottky junctions

Nagamine, Y. ; Sato, J. ; Qian, Y. ; Inoue, T. ; Nakamura, T. ; Maruyama, S. ; Katsumoto, S. ; Haruyama, J.

Applied physics letters, 2020-07, Vol.117 (4) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
Nitride passivation reduces interfacial traps in atomic-layer-deposited Al2O3/GaAs (001) metal-oxide-semiconductor capacitors using atmospheric metal-organic chemical vapor deposition
Nitride passivation reduces interfacial traps in atomic-layer-deposited Al2O3/GaAs (001) metal-oxide-semiconductor capacitors using atmospheric metal-organic chemical vapor deposition
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Nitride passivation reduces interfacial traps in atomic-layer-deposited Al2O3/GaAs (001) metal-oxide-semiconductor capacitors using atmospheric metal-organic chemical vapor deposition

Aoki, T. ; Fukuhara, N. ; Osada, T. ; Sazawa, H. ; Hata, M. ; Inoue, T.

Applied physics letters, 2014-07, Vol.105 (3) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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3
Enhanced Raman scattering of graphene using double resonance in silicon photonic crystal nanocavities
Enhanced Raman scattering of graphene using double resonance in silicon photonic crystal nanocavities
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Enhanced Raman scattering of graphene using double resonance in silicon photonic crystal nanocavities

Gomulya, W. ; Machiya, H. ; Kashiwa, K. ; Inoue, T. ; Chiashi, S. ; Maruyama, S. ; Kato, Y. K.

Applied physics letters, 2018-08, Vol.113 (8) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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4
Effects of absorption coefficients and intermediate-band filling in InAs/GaAs quantum dot solar cells
Effects of absorption coefficients and intermediate-band filling in InAs/GaAs quantum dot solar cells
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Effects of absorption coefficients and intermediate-band filling in InAs/GaAs quantum dot solar cells

Hu, W. G. ; Inoue, T. ; Kojima, O. ; Kita, T.

Applied physics letters, 2010-11, Vol.97 (19) [Periódico revisado por pares]

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5
Understanding scanned probe oxidation of silicon
Understanding scanned probe oxidation of silicon
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Understanding scanned probe oxidation of silicon

Dagata, J. A. ; Inoue, T. ; Itoh, J. ; Yokoyama, H.

Applied physics letters, 1998-07, Vol.73 (2), p.271-273 [Periódico revisado por pares]

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6
Predictive model for scanned probe oxidation kinetics
Predictive model for scanned probe oxidation kinetics
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Predictive model for scanned probe oxidation kinetics

Dagata, J. A. ; Perez-Murano, F. ; Abadal, G. ; Morimoto, K. ; Inoue, T. ; Itoh, J. ; Yokoyama, H.

Applied physics letters, 2000-05, Vol.76 (19), p.2710-2712 [Periódico revisado por pares]

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7
Low-contact-resistance and smooth-surface Ti ∕ Al ∕ Nb ∕ Au ohmic electrode on AlGaN ∕ GaN heterostructure
Low-contact-resistance and smooth-surface Ti ∕ Al ∕ Nb ∕ Au ohmic electrode on AlGaN ∕ GaN heterostructure
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Low-contact-resistance and smooth-surface Ti ∕ Al ∕ Nb ∕ Au ohmic electrode on AlGaN ∕ GaN heterostructure

Nakayama, T. ; Miyamoto, H. ; Ando, Y. ; Okamoto, Y. ; Inoue, T. ; Hataya, K. ; Kuzuhara, M.

Applied physics letters, 2004-10, Vol.85 (17), p.3775-3776 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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8
Hole escape processes detrimental to photoluminescence efficiency in a blue InGaN multiple-quantum-well diode under reverse bias conditions
Hole escape processes detrimental to photoluminescence efficiency in a blue InGaN multiple-quantum-well diode under reverse bias conditions
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Hole escape processes detrimental to photoluminescence efficiency in a blue InGaN multiple-quantum-well diode under reverse bias conditions

Inoue, T. ; Fujiwara, K. ; Sheu, J. K.

Applied physics letters, 2007-04, Vol.90 (16) [Periódico revisado por pares]

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9
Local vibrational modes as a probe of activation process in p -type GaN
Local vibrational modes as a probe of activation process in p -type GaN
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Local vibrational modes as a probe of activation process in p -type GaN

Harima, H. ; Inoue, T. ; Nakashima, S. ; Ishida, M. ; Taneya, M.

Applied physics letters, 1999-09, Vol.75 (10), p.1383-1385 [Periódico revisado por pares]

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10
Epitaxial growth of CeO2 layers on silicon
Epitaxial growth of CeO2 layers on silicon
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Epitaxial growth of CeO2 layers on silicon

INOUE, T ; YAMAMOTO, Y ; KOYAMA, S ; SUZUKI, S ; UEDA, Y

Applied physics letters, 1990-04, Vol.56 (14), p.1332-1333 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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