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Improved fill factors in amorphous silicon solar cells on zinc oxide by insertion of a germanium layer to block impurity incorporation
Improved fill factors in amorphous silicon solar cells on zinc oxide by insertion of a germanium layer to block impurity incorporation
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Improved fill factors in amorphous silicon solar cells on zinc oxide by insertion of a germanium layer to block impurity incorporation

Ganguly, G. ; Carlson, D. E. ; Hegedus, S. S. ; Ryan, D. ; Gordon, R. G. ; Pang, D. ; Reedy, R. C.

Applied physics letters, 2004-07, Vol.85 (3), p.479-481 [Periódico revisado por pares]

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Hydrogen ion motion in amorphous silicon solar cells at elevated temperatures
Hydrogen ion motion in amorphous silicon solar cells at elevated temperatures
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Hydrogen ion motion in amorphous silicon solar cells at elevated temperatures

Carlson, D. E. ; Rajan, K.

Applied physics letters, 1996-09, Vol.69 (10), p.1447-1449 [Periódico revisado por pares]

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Sensitivity of amorphous silicon-germanium solar cells to oxygen impurity atoms
Sensitivity of amorphous silicon-germanium solar cells to oxygen impurity atoms
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Sensitivity of amorphous silicon-germanium solar cells to oxygen impurity atoms

Ganguly, G. ; Carlson, D. E.

Applied physics letters, 2003-07, Vol.83 (4), p.683-685 [Periódico revisado por pares]

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Ultrahigh growth rate of epitaxial silicon by chemical vapor deposition at low temperature with neopentasilane
Ultrahigh growth rate of epitaxial silicon by chemical vapor deposition at low temperature with neopentasilane
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Ultrahigh growth rate of epitaxial silicon by chemical vapor deposition at low temperature with neopentasilane

Chung, K. H. ; Yao, N. ; Benziger, J. ; Sturm, J. C. ; Singh, K. K. ; Carlson, D. ; Kuppurao, S.

Applied physics letters, 2008-03, Vol.92 (11) [Periódico revisado por pares]

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Irreversible light-enhanced degradation in amorphous silicon solar cells at elevated temperatures
Irreversible light-enhanced degradation in amorphous silicon solar cells at elevated temperatures
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Irreversible light-enhanced degradation in amorphous silicon solar cells at elevated temperatures

Carlson, D. E. ; Rajan, K.

Applied physics letters, 1996-01, Vol.68 (1), p.28-30 [Periódico revisado por pares]

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6
Amorphous germanium recombination junctions in amorphous-silicon-based tandem solar cells
Amorphous germanium recombination junctions in amorphous-silicon-based tandem solar cells
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Amorphous germanium recombination junctions in amorphous-silicon-based tandem solar cells

Ganguly, G. ; Carlson, D. E. ; Arya, R. R.

Applied physics letters, 2003-11, Vol.83 (20), p.4256-4258 [Periódico revisado por pares]

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The reversal of light-induced degradation in amorphous silicon solar cells by an electric field
The reversal of light-induced degradation in amorphous silicon solar cells by an electric field
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The reversal of light-induced degradation in amorphous silicon solar cells by an electric field

Carlson, D. E. ; Rajan, K.

Applied Physics Letters, 1997-04, Vol.70 (16), p.2168-2170 [Periódico revisado por pares]

United States

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Amorphous silicon solar cell
Amorphous silicon solar cell
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Amorphous silicon solar cell

Carlson, D. E. ; Wronski, C. R.

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1976-06, Vol.28 (11), p.671-673 [Periódico revisado por pares]

United States

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Ultrahigh growth rate of epitaxial silicon by chemical vapor depositionat low temperature with neopentasilane
Ultrahigh growth rate of epitaxial silicon by chemical vapor depositionat low temperature with neopentasilane
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Ultrahigh growth rate of epitaxial silicon by chemical vapor depositionat low temperature with neopentasilane

Chung, K. H. ; Yao, N. ; Benziger, J. ; Sturm, J. C. ; Singh, K. K. ; Carlson, D. ; Kuppurao, S.

Applied physics letters, 2008-03, Vol.92 (11), p.113506-113506-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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Role of carbon in hydrogenated amorphous silicon solar cell degradation
Role of carbon in hydrogenated amorphous silicon solar cell degradation
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Role of carbon in hydrogenated amorphous silicon solar cell degradation

CRANDALL, R. S ; CARLSON, D. E ; CATALANO, A ; WEAKLIEM, H. A

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1984-01, Vol.44 (2), p.200-201 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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