skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Mostrar Somente
Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
GeSn-based p-i-n photodiodes with strained active layer on a Si wafer
GeSn-based p-i-n photodiodes with strained active layer on a Si wafer
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

GeSn-based p-i-n photodiodes with strained active layer on a Si wafer

Tseng, H. H. ; Li, H. ; Mashanov, V. ; Yang, Y. J. ; Cheng, H. H. ; Chang, G. E. ; Soref, R. A. ; Sun, G.

Applied physics letters, 2013-12, Vol.103 (23) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Practical enhancement of photoluminescence by metal nanoparticles
Practical enhancement of photoluminescence by metal nanoparticles
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Practical enhancement of photoluminescence by metal nanoparticles

Sun, G. ; Khurgin, J. B. ; Soref, R. A.

Applied physics letters, 2009-03, Vol.94 (10), p.101103-101103-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Mid-infrared electroluminescence from a Ge/Ge0.922Sn0.078/Ge double heterostructure p-i-n diode on a Si substrate
Mid-infrared electroluminescence from a Ge/Ge0.922Sn0.078/Ge double heterostructure p-i-n diode on a Si substrate
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Mid-infrared electroluminescence from a Ge/Ge0.922Sn0.078/Ge double heterostructure p-i-n diode on a Si substrate

Tseng, H. H. ; Wu, K. Y. ; Li, H. ; Mashanov, V. ; Cheng, H. H. ; Sun, G. ; Soref, R. A.

Applied physics letters, 2013-05, Vol.102 (18) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Impact of high-order surface plasmon modes of metal nanoparticles on enhancement of optical emission
Impact of high-order surface plasmon modes of metal nanoparticles on enhancement of optical emission
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Impact of high-order surface plasmon modes of metal nanoparticles on enhancement of optical emission

Sun, G. ; Khurgin, J. B. ; Yang, C. C.

Applied physics letters, 2009-10, Vol.95 (17) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Electric field-induced magnetic switching in Mn:ZnO film
Electric field-induced magnetic switching in Mn:ZnO film
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electric field-induced magnetic switching in Mn:ZnO film

Ren, S. X. ; Sun, G. W. ; Zhao, J. ; Dong, J. Y. ; Wei, Y. ; Ma, Z. C. ; Zhao, X. ; Chen, W.

Applied physics letters, 2014-06, Vol.104 (23) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Practical limits of absorption enhancement near metal nanoparticles
Practical limits of absorption enhancement near metal nanoparticles
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Practical limits of absorption enhancement near metal nanoparticles

Khurgin, J. B. ; Sun, G. ; Soref, R. A.

Applied physics letters, 2009-02, Vol.94 (7), p.071103-071103-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Joule heating-induced coexisted spin Seebeck effect and spin Hall magnetoresistance in the platinum/Y3Fe5O12 structure
Joule heating-induced coexisted spin Seebeck effect and spin Hall magnetoresistance in the platinum/Y3Fe5O12 structure
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Joule heating-induced coexisted spin Seebeck effect and spin Hall magnetoresistance in the platinum/Y3Fe5O12 structure

Wang, S H ; Zou, L K ; Cai, J W ; Sun, Z G ; Sun, J R

Applied physics letters, 2014-11, Vol.105 (18) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Sn-based Ge/Ge0.975Sn0.025/Ge p-i-n photodetector operated with back-side illumination
Sn-based Ge/Ge0.975Sn0.025/Ge p-i-n photodetector operated with back-side illumination
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Sn-based Ge/Ge0.975Sn0.025/Ge p-i-n photodetector operated with back-side illumination

Chang, C. ; Li, H. ; Huang, S. H. ; Cheng, H. H. ; Sun, G. ; Soref, R. A.

Applied physics letters, 2016-04, Vol.108 (15) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Simultaneous enhancement in thermoelectric power factor and phonon blocking in hierarchical nanostructured β-Zn4Sb3-Cu3SbSe4
Simultaneous enhancement in thermoelectric power factor and phonon blocking in hierarchical nanostructured β-Zn4Sb3-Cu3SbSe4
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Simultaneous enhancement in thermoelectric power factor and phonon blocking in hierarchical nanostructured β-Zn4Sb3-Cu3SbSe4

Zou, T. H. ; Qin, X. Y. ; Li, D. ; Sun, G. L. ; Dou, Y. C. ; Wang, Q. Q. ; Ren, B. J. ; Zhang, J. ; Xin, H. X. ; Li, Y. Y.

Applied physics letters, 2014-01, Vol.104 (1) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Disorder-induced enhancement of indirect absorption in a GeSn photodetector grown by molecular beam epitaxy
Disorder-induced enhancement of indirect absorption in a GeSn photodetector grown by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Disorder-induced enhancement of indirect absorption in a GeSn photodetector grown by molecular beam epitaxy

Li, H. ; Chang, C. ; Cheng, H. H. ; Sun, G. ; Soref, R. A.

Applied physics letters, 2016-05, Vol.108 (19) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Recursos Online (617)
  2. Revistas revisadas por pares (619)

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.