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1
Indium-bump-free antimonide superlattice membrane detectors on silicon substrates
Indium-bump-free antimonide superlattice membrane detectors on silicon substrates
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Indium-bump-free antimonide superlattice membrane detectors on silicon substrates

Zamiri, M. ; Klein, B. ; Schuler-Sandy, T. ; Myers, S. ; Dahiya, V. ; Cavallo, F. ; Krishna, S.

Applied physics letters, 2016-02, Vol.108 (9) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
Radiation tolerance characterization of dual band InAs/GaSb type-II strain-layer superlattice pBp detectors using 63 MeV protons
Radiation tolerance characterization of dual band InAs/GaSb type-II strain-layer superlattice pBp detectors using 63 MeV protons
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Radiation tolerance characterization of dual band InAs/GaSb type-II strain-layer superlattice pBp detectors using 63 MeV protons

Cowan, V. M. ; Morath, C. P. ; Hubbs, J. E. ; Myers, S. ; Plis, E. ; Krishna, S.

Applied physics letters, 2012-12, Vol.101 (25) [Periódico revisado por pares]

United States

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3
Reduction of surface leakage current in InAs/GaSb strained layer long wavelength superlattice detectors using SU-8 passivation
Reduction of surface leakage current in InAs/GaSb strained layer long wavelength superlattice detectors using SU-8 passivation
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Reduction of surface leakage current in InAs/GaSb strained layer long wavelength superlattice detectors using SU-8 passivation

Kim, H. S. ; Plis, E. ; Gautam, N. ; Myers, S. ; Sharma, Y. ; Dawson, L. R. ; Krishna, S.

Applied physics letters, 2010-10, Vol.97 (14), p.143512-143512-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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4
Gallium free type II InAs/InAsxSb1-x superlattice photodetectors
Gallium free type II InAs/InAsxSb1-x superlattice photodetectors
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Gallium free type II InAs/InAsxSb1-x superlattice photodetectors

Schuler-Sandy, T. ; Myers, S. ; Klein, B. ; Gautam, N. ; Ahirwar, P. ; Tian, Z.-B. ; Rotter, T. ; Balakrishnan, G. ; Plis, E. ; Krishna, S.

Applied physics letters, 2012-08, Vol.101 (7), p.71111 [Periódico revisado por pares]

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5
Lateral diffusion of minority carriers in InAsSb-based nBn detectors
Lateral diffusion of minority carriers in InAsSb-based nBn detectors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Lateral diffusion of minority carriers in InAsSb-based nBn detectors

Plis, Elena ; Myers, S. ; Kutty, M. N. ; Mailfert, J. ; Smith, E. P. ; Johnson, S. ; Krishna, S.

Applied physics letters, 2010-09, Vol.97 (12), p.123503-123503-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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6
Control and elimination of cracking of AlGaN using low-temperature AlGaN interlayers
Control and elimination of cracking of AlGaN using low-temperature AlGaN interlayers
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Control and elimination of cracking of AlGaN using low-temperature AlGaN interlayers

Han, J. ; Waldrip, K. E. ; Lee, S. R. ; Figiel, J. J. ; Hearne, S. J. ; Petersen, G. A. ; Myers, S. M.

Applied physics letters, 2001-01, Vol.78 (1), p.67-69 [Periódico revisado por pares]

United States: The American Physical Society

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7
Chemical kinetics of hydrogen and (111)Si-SiO2 interface defects
Chemical kinetics of hydrogen and (111)Si-SiO2 interface defects
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Chemical kinetics of hydrogen and (111)Si-SiO2 interface defects

BROWER, K. L ; MYERS, S. M

Applied physics letters, 1990-07, Vol.57 (2), p.162-164 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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8
High operating temperature interband cascade midwave infrared detector based on type-II InAs/GaSb strained layer superlattice
High operating temperature interband cascade midwave infrared detector based on type-II InAs/GaSb strained layer superlattice
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

High operating temperature interband cascade midwave infrared detector based on type-II InAs/GaSb strained layer superlattice

Gautam, Nutan ; Myers, S. ; Barve, A. V. ; Klein, Brianna ; Smith, E. P. ; Rhiger, D. R. ; Dawson, L. R. ; Krishna, S.

Applied physics letters, 2012-07, Vol.101 (2) [Periódico revisado por pares]

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9
Isotope effects on the rate of electron-beam dissociation of Mg–H complexes in GaN
Isotope effects on the rate of electron-beam dissociation of Mg–H complexes in GaN
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Isotope effects on the rate of electron-beam dissociation of Mg–H complexes in GaN

Seager, C. H. ; Myers, S. M. ; Vaandrager, B. ; Nelson, J. S.

Applied physics letters, 2002-04, Vol.80 (15), p.2693-2695 [Periódico revisado por pares]

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10
The mechanism of iron gettering in boron-doped silicon
The mechanism of iron gettering in boron-doped silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The mechanism of iron gettering in boron-doped silicon

Stolk, P. A. ; Benton, J. L. ; Eaglesham, D. J. ; Jacobson, D. C. ; Cheng, J.-Y. ; Poate, J. M. ; Myers, S. M. ; Haynes, T. E.

Applied Physics Letters, 1996-01, Vol.68 (1), p.51-53 [Periódico revisado por pares]

United States

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