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150-W, 808-nm quasi-cw diode arrays based on AlGaAs/GaAs heterostructures with improved thermal characteristics

Abazadze, Aleksandr Yu ; Gur'Eva, T G ; Davydova, Evgeniya I ; Zalevskii, I D ; Zverev, Georgii M ; Lobintsov, A V ; Marmalyuk, Aleksandr A ; Sapozhnikov, S M ; Simakov, V A ; Uspenskii, Mikhail B ; Shishkin, Viktor A ; Bezotosnyi, V V

Quantum Electronics (Woodbury, N.Y.), 31 August 2001, Vol.31(8) [Periódico revisado por pares]

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Constructional features of a LISD-2M laser velocimeter and rangefinder

Abazadze, Yu V ; Litsarev, N A ; Pochtarev, V L ; Pashkov, V A ; Khachiev, A Yu ; Kazakov, A A ; Koval', Yu P ; Simakov, V A ; Neustrueva, V N ; Egorova, G S ; Zalevskii, I D ; Borodkin, A A ; Sapozhnikov, S M

Quantum Electronics (Woodbury, N.Y.), 31 March 2002, Vol.32(3) [Periódico revisado por pares]

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High-power 2.5-W cw AlGaAs/GaAs laser diodes

Aluev, A V ; Morozyuk, A M ; Kobyakova, M Sh ; Chel'Nyi, A A

Quantum Electronics (Woodbury, N.Y.), 31 July 2001, Vol.31(7) [Periódico revisado por pares]

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Physical properties of EuPd2As2 single crystals

Anand, V K ; Johnston, D C

Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal, 16 July 2014, Vol.26(28), pp.286002 [Periódico revisado por pares]

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Quantum-dot superluminescent diodes with improved performance

Andreeva, E V ; Lapin, P I ; Prokhorov, Vyacheslav V ; Yakubovich, S D

Quantum Electronics (Woodbury, N.Y.), 30 April 2007, Vol.37(4) [Periódico revisado por pares]

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Superluminescent InAs/AlGaAs/GaAs quantum dot heterostructure diodes emitting in the 1100-1230-nm spectral range

Andreeva, E V ; Prokhorov, Vyacheslav V ; Zhukov, A E ; Ustinov, Viktor M ; Yakubovich, S D

Quantum Electronics (Woodbury, N.Y.), 30 June 2006, Vol.36(6) [Periódico revisado por pares]

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Double-pass superluminescent diode with tapered active channel

Andreeva, E V ; Shramenko, M V ; Yakubovich, S D

Quantum Electronics (Woodbury, N.Y.), 28 February 2002, Vol.32(2) [Periódico revisado por pares]

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Stimulated-emission wavelength switching in optically pumped InGaAs/AlGaInAs laser heterostructures

Andronov, Aleksandr A ; Nozdrin, Yu N ; Okomel'Kov, A V ; Yablonskii, A N ; Marmalyuk, Aleksandr A ; Ryaboshtan, Yu L

Quantum Electronics (Woodbury, N.Y.), 31 March 2009, Vol.39(3) [Periódico revisado por pares]

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Enhancement of photoluminescence from GaInNAsSb quantum wells upon annealing: improvement of material quality and carrier collection by the quantum well

Baranowski, M ; Kudrawiec, R ; Latkowska, M ; Syperek, M ; Misiewicz, J ; Sarmiento, T ; Harris, J S

Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal, 13 February 2013, Vol.25(6), pp.065801 [Periódico revisado por pares]

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Second-order Bragg gratings in single-mode chalcogenide fibres

Bernier, M ; Asatryan, K E ; Vallee, R ; Galstian, T M ; Vasil'Ev, Sergei A ; Medvedkov, O I ; Plotnichenko, V G ; Gnusin, P I ; Dianov, Evgenii M

Quantum Electronics (Woodbury, N.Y.), 31 May 2011, Vol.41(5) [Periódico revisado por pares]

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