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(0, ±1) ideal matrices
(0, ±1) ideal matrices
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(0, ±1) ideal matrices

NOBILI, P ; SASSANO, A

Mathematical programming, 1998-02, Vol.80 (3), p.265-281 [Periódico revisado por pares]

Heidelberg: Springer

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2
0-1 Piecewise linearization approach for interval-parameter nonlinear programming: application to environmental management under uncertainty
0-1 Piecewise linearization approach for interval-parameter nonlinear programming: application to environmental management under uncertainty
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0-1 Piecewise linearization approach for interval-parameter nonlinear programming: application to environmental management under uncertainty

LI, Y. P ; HUANG, G. H ; YANG, Z. F ; NIE, S. L

Canadian journal of civil engineering, 2009-06, Vol.36 (6), p.1071-1084 [Periódico revisado por pares]

Ottawa, ON: National Research Council of Canada

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3
0.02% V/F converter consumes only 26 mu A
0.02% V/F converter consumes only 26 mu A
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magazinearticle 		Adicionar ao Meu Espaço

0.02% V/F converter consumes only 26 mu A

Williams, Jim

EDN, 1997-02, p.54

Cambridge: AspenCore

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4
0.02% V/F converter consumes only 26 (mu)A
0.02% V/F converter consumes only 26 (mu)A
Material Type:
magazinearticle 		Adicionar ao Meu Espaço

0.02% V/F converter consumes only 26 (mu)A

Williams, Jim

EDN, 1996-07, Vol.41 (14), p.93-94

Cambridge: AspenCore

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5
0.1–42 GHz InP DHBT distributed amplifiers with 35 dB gain and 15 dBm output
0.1–42 GHz InP DHBT distributed amplifiers with 35 dB gain and 15 dBm output
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1–42 GHz InP DHBT distributed amplifiers with 35 dB gain and 15 dBm output

Krishnamurthy, K. ; Chow, J. ; Rodwell, M.J.W. ; Pullela, R.

Electronics letters, 2003-11, Vol.39 (22), p.1594 [Periódico revisado por pares]

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6
0.1-mm electrostatic microrelays switch at up to 100 GHz
0.1-mm electrostatic microrelays switch at up to 100 GHz
Material Type:
magazinearticle 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1-mm electrostatic microrelays switch at up to 100 GHz

Vollmer, Alfred

Electronic design, 1997-12, Vol.45 (27), p.34

Nashville: Endeavor Business Media

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7
0.1 mu M PHEMT PROCESS FOR E-BAND POWER APPLICATIONS
0.1 mu M PHEMT PROCESS FOR E-BAND POWER APPLICATIONS
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1 mu M PHEMT PROCESS FOR E-BAND POWER APPLICATIONS

Microwave journal (International ed.), 2010-12, Vol.53 (12), p.36-38

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8
0.1 to 18 GHz, 80 x 5 Distribution Matrix
0.1 to 18 GHz, 80 x 5 Distribution Matrix
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1 to 18 GHz, 80 x 5 Distribution Matrix

Microwave Journal, 2015-05, p.66

Dedham: Horizon House Publications, Inc

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9
0.1 to 6 GHz GaN Amplifiers Redefine SWaP
0.1 to 6 GHz GaN Amplifiers Redefine SWaP
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1 to 6 GHz GaN Amplifiers Redefine SWaP

Microwave Journal, 2016-05, p.60

Dedham: Horizon House Publications, Inc

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10
0.1 μm Gate length MODFETs with unity current gain cutoff frequency above 110 GHz
0.1 μm Gate length MODFETs with unity current gain cutoff frequency above 110 GHz
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1 μm Gate length MODFETs with unity current gain cutoff frequency above 110 GHz

LEPORE, A. N ; LEVY, H. M ; TIBERIO, R. C ; TASKER, P. J ; LEE, H ; WOLF, E. D ; EASTMAN, L. F ; KOHN, E

Electronics letters, 1988, Vol.24 (6), p.364-366 [Periódico revisado por pares]

London: Institution of Electrical Engineers

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