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Microstructure evolution during the isostructural decomposition of TiAlN — A combined in-situ small angle x-ray scattering and phase field study

Knutsson, A. ; Ullbrand, J. ; Rogström, L. ; Norrby, N. ; Johnson, L. J. S. ; Hultman, L. ; Almer, J. ; Johansson Jöesaar, M. P. ; Jansson, B. ; Odén, M.

Journal of Applied Physics, 07 June 2013, Vol.113(21) [Periódico revisado por pares]

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Electronic-grade GaN ( 0001 ) / Al 2 O 3 ( 0001 ) grown by reactive DC-magnetron sputter epitaxy using a liquid Ga target

Junaid, M. ; Hsiao, C.-L. ; Palisaitis, J. ; Jensen, J. ; Persson, P. O. Å. ; Hultman, L. ; Birch, J.

Applied Physics Letters, 04 April 2011, Vol.98(14) [Periódico revisado por pares]

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Sputter deposition from a Ti 2AlC target: Process characterization and conditions for growth of Ti 2AlC

Frodelius, J ; Eklund, P ; Beckers, M ; Persson, P.O.Å ; Högberg, H ; Hultman, L

Thin Solid Films, 2010, Vol.518(6), pp.1621-1626 [Periódico revisado por pares]

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Two-domain formation during the epitaxial growth of GaN (0001) on c -plane Al 2 O 3 (0001) by high power impulse magnetron sputtering

Junaid, M. ; Lundin, D. ; Palisaitis, J. ; Hsiao, C.-L. ; Darakchieva, V. ; Jensen, J. ; Persson, P. O. Å. ; Sandström, P. ; Lai, W.-J. ; Chen, L.-C. ; Chen, K.-H. ; Helmersson, U. ; Hultman, L. ; Birch, J.

Journal of Applied Physics, 15 December 2011, Vol.110(12) [Periódico revisado por pares]

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Self-organization during growth of ZrN/SiN x multilayers by epitaxial lateral overgrowth

Fallqvist, A. ; Ghafoor, N. ; Fager, H. ; Hultman, L. ; Persson, P. O. Å.

Journal of Applied Physics, 14 December 2013, Vol.114(22) [Periódico revisado por pares]

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Elastic constants, Poisson ratios, and the elastic anisotropy of VN(001), (011), and (111) epitaxial layers grown by reactive magnetron sputter deposition

Mei, A. B. ; Wilson, R. B. ; Li, D. ; Cahill, David G. ; Rockett, A. ; Birch, J. ; Hultman, L. ; Greene, J. E. ; Petrov, I.

Journal of Applied Physics, 07 June 2014, Vol.115(21) [Periódico revisado por pares]

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Dynamic and structural stability of cubic vanadium nitride

Mei, A. B ; Hellman, O ; Wireklint, N ; Schlepütz, C. M ; Sangiovanni, D. G ; Alling, B ; Rockett, A ; Hultman, L ; Petrov, I ; Greene, J. E

Physical Review B, 02 February 2015, Vol.91(5) [Periódico revisado por pares]

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