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1% defect enriches MoS2 quantum dot: catalysis and blue luminescence
1% defect enriches MoS2 quantum dot: catalysis and blue luminescence
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1% defect enriches MoS2 quantum dot: catalysis and blue luminescence

Tang, Jingmin ; Sakamoto, Masanori ; Ohta, Haruhisa ; Saitow, Ken-ichi

Nanoscale, 2020-02, Vol.12 (7), p.4352-4358 [Periódico revisado por pares]

Cambridge: Royal Society of Chemistry

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2
10 Gbit/s data modulation using 1.3 mu m InGaAs quantum dot lasers
10 Gbit/s data modulation using 1.3 mu m InGaAs quantum dot lasers
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10 Gbit/s data modulation using 1.3 mu m InGaAs quantum dot lasers

Kuntz, M ; Fiol, G ; Laemmlin, M ; Schubert, C ; Kovsh, A R ; Jacob, A ; Umbach, A ; Bimberg, D

Electronics letters, 2005-03, Vol.41 (5), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

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3
1040 nm vertical external cavity surface emitting laser based on InGaAs quantum dots grown in Stranski-Krastanow regime
1040 nm vertical external cavity surface emitting laser based on InGaAs quantum dots grown in Stranski-Krastanow regime
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1040 nm vertical external cavity surface emitting laser based on InGaAs quantum dots grown in Stranski-Krastanow regime

Strittmatter, A ; Germann, T D ; Pohl, J ; Pohl, U W ; Bimberg, D ; Rautiainen, J ; Guina, M ; Okhotnikov, O G

Electronics letters, 2008-02, Vol.44 (4), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering & Technology

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4
12 mu m long edge-emitting quantum-dot laser
12 mu m long edge-emitting quantum-dot laser
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12 mu m long edge-emitting quantum-dot laser

Rennon, S ; Klopf, F ; Reithmaier, J P ; Forchel, A

Electronics letters, 2001-05, Vol.37 (11), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

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5
1.3- mu m CW lasing characteristics of self-assembled InGaAs-GaAs quantum dots
1.3- mu m CW lasing characteristics of self-assembled InGaAs-GaAs quantum dots
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1.3- mu m CW lasing characteristics of self-assembled InGaAs-GaAs quantum dots

Mukai, K ; Nakata, Y ; Otsubo, K ; Sugawara, M ; Yokoyama, N ; Ishikawa, H

IEEE journal of quantum electronics, 2000-04, Vol.36 (4) [Periódico revisado por pares]

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6
1.3 mu m InAs/GaAs multilayer quantum-dot laser with extremely low room-temperature threshold current density
1.3 mu m InAs/GaAs multilayer quantum-dot laser with extremely low room-temperature threshold current density
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1.3 mu m InAs/GaAs multilayer quantum-dot laser with extremely low room-temperature threshold current density

Sellers, I R ; Liu, H Y ; Groom, K M ; Childs, D T ; Robbins, D ; Badcock, T J ; Hopkinson, M ; Mowbray, D J ; Skolnick, M S

Electronics letters, 2004-10, Vol.40 (22), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

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7
1.3 mu m InAs/GaAs quantum-dot laser monolithically grown on Si substrates operating over 100 degree C
1.3 mu m InAs/GaAs quantum-dot laser monolithically grown on Si substrates operating over 100 degree C
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1.3 mu m InAs/GaAs quantum-dot laser monolithically grown on Si substrates operating over 100 degree C

Chen, S M ; Tang, M C ; Wu, J ; Jiang, Q ; Dorogan, V G ; Benamara, M ; Mazur, Y I ; Salamo, G J ; Seeds, A J ; Liu, H

Electronics letters, 2014-09, Vol.50 (20), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

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1.3 mu m InAs/GaAs quantum-dot laser with low-threshold current density and negative characteristic temperature above room temperature
1.3 mu m InAs/GaAs quantum-dot laser with low-threshold current density and negative characteristic temperature above room temperature
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1.3 mu m InAs/GaAs quantum-dot laser with low-threshold current density and negative characteristic temperature above room temperature

Badcock, T J ; Liu, H Y ; Groom, K M ; Jin, C Y ; Gutierrez, M ; Hopkinson, M ; Mowbray, D J ; Skolnick, M S

Electronics letters, 2006-08, Vol.42 (16), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

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9
1.3- \mu m In(Ga)As Quantum-Dot VCSELs Fabricated by Dielectric-Free Approach With Surface-Relief Process
1.3- \mu m In(Ga)As Quantum-Dot VCSELs Fabricated by Dielectric-Free Approach With Surface-Relief Process
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1.3- \mu m In(Ga)As Quantum-Dot VCSELs Fabricated by Dielectric-Free Approach With Surface-Relief Process

Xu, D W ; Yoon, S F ; Ding, Y ; Tong, C Z ; Fan, W J ; Zhao, L J

IEEE photonics technology letters, 2011, Vol.23 (2), p.91-93

IEEE

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10
1.3 mu m quantum dot vertical-cavity surface-emitting laser with external light injection
1.3 mu m quantum dot vertical-cavity surface-emitting laser with external light injection
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1.3 mu m quantum dot vertical-cavity surface-emitting laser with external light injection

Peng, P C ; Chang, Y H ; Kuo, H C ; Tsai, W K ; Lin, G ; Lin, C T ; Yu, H C ; Yang, H P ; Hsiao, R S ; Lin, K F ; Chi, J Y ; Chi, S ; Wang, S C

Electronics letters, 2005-01, Vol.41 (22), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

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