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Phase change behavior in titanium-doped Ge 2 Sb 2 Te 5 films

Wei, S. J. ; Zhu, H. F. ; Chen, K. ; Xu, D. ; Li, J. ; Gan, F. X. ; Zhang, X. ; Xia, Y. J. ; Li, G. H.

Applied Physics Letters, 06 June 2011, Vol.98(23) [Periódico revisado por pares]

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2
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Artigo
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Electronic-grade GaN ( 0001 ) / Al 2 O 3 ( 0001 ) grown by reactive DC-magnetron sputter epitaxy using a liquid Ga target

Junaid, M. ; Hsiao, C.-L. ; Palisaitis, J. ; Jensen, J. ; Persson, P. O. Å. ; Hultman, L. ; Birch, J.

Applied Physics Letters, 04 April 2011, Vol.98(14) [Periódico revisado por pares]

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