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Modulation bandwidth of high‐power single quantum well buried heterostructure InGaAsP/InP (λ=1.3 μm) and InGaAsP/GaAs (λ=0.8 μm) laser diodes

Berishev, I. E. ; Gorbachev, A. Yu. ; Mishournyi, V. A. ; Ilyinskaya, N. D. ; Stankevich, A. L. ; Tarasov, I. S.

Applied Physics Letters, 26 February 1996, Vol.68(9), pp.1186-1188 [Periódico revisado por pares]

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Ultrafast all-optical modulator for 1.5   μ m controlled by Ti : Al 2 O 3 laser

Ermolenko, M. V. ; Buganov, O. V. ; Tikhomirov, S. A. ; Stankevich, V. V. ; Gaponenko, S. V. ; Shulenkov, A. S.

Applied Physics Letters, 16 August 2010, Vol.97(7) [Periódico revisado por pares]

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  1. Tarasov, I. S.
  2. Ilyinskaya, N.D.
  3. Gorbachev, A.Yu.
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  5. Tarasov, I.S.

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