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Usage of antimony segregation for selective doping of Si in molecular beam epitaxy

Yurasov, D. V. ; Drozdov, M. N. ; Murel, A. V. ; Shaleev, M. V. ; Zakharov, N. D. ; Novikov, A. V.

Journal of Applied Physics, 01 June 2011, Vol.109(11) [Periódico revisado por pares]

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2
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Charge transport in Si nanocrystal/SiO 2 superlattices

Gutsch, S. ; Laube, J. ; Hartel, A. M. ; Hiller, D. ; Zakharov, N. ; Werner, P. ; Zacharias, M.

Journal of Applied Physics, 07 April 2013, Vol.113(13) [Periódico revisado por pares]

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Structural and electrical properties of electron beam gun evaporated Er 2 O 3 insulator thin films

Mikhelashvili, V. ; Eisenstein, G. ; Edelman, F. ; Brener, R. ; Zakharov, N. ; Werner, P.

Journal of Applied Physics, 15 January 2004, Vol.95(2), pp.613-620 [Periódico revisado por pares]

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Formation of size-controlled and luminescent Si nanocrystals from SiO x N y /Si 3 N 4 hetero-superlattices

Zelenina, A. ; Sarikov, A. ; Gutsch, S. ; Zakharov, N. ; Werner, P. ; Reichert, A. ; Weiss, C. ; Zacharias, M.

Journal of Applied Physics, 07 May 2015, Vol.117(17) [Periódico revisado por pares]

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Silicon nanocrystals in SiN x /SiO 2 hetero-superlattices: The loss of size control after thermal annealing

Zelenina, A. ; Sarikov, A. ; Zhigunov, D. M. ; Weiss, C. ; Zakharov, N. ; Werner, P. ; López-Conesa, L. ; Estradé, S. ; Peiró, F. ; Dyakov, S. A. ; Zacharias, M.

Journal of Applied Physics, 28 June 2014, Vol.115(24) [Periódico revisado por pares]

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Doping efficiency of phosphorus doped silicon nanocrystals embedded in a SiO 2 matrix

Gutsch, S. ; Hartel, A. M. ; Hiller, D. ; Zakharov, N. ; Werner, P. ; Zacharias, M.

Applied Physics Letters, 04 June 2012, Vol.100(23) [Periódico revisado por pares]

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1.3  μ m photoluminescence of Ge/GaAs multi-quantum-well structure

Aleshkin, V. Ya. ; Dubinov, A. A. ; Kudryavtsev, K. E. ; Rumyantsev, V. V. ; Tonkikh, A. A. ; Zakharov, N. D. ; Zvonkov, B. N.

Journal of Applied Physics, 28 January 2014, Vol.115(4) [Periódico revisado por pares]

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Stabilization and fine control of Ge dot structure on Si (100) by C cover layer

Wakayama, Y. ; Sokolov, L. V. ; Zakharov, N. ; Werner, P. ; Gösele, U.

Journal of Applied Physics, 01 January 2003, Vol.93(1), pp.765-767 [Periódico revisado por pares]

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Thickness and temperature depending intermixing of SiO x /SiO 2 and SiO x N y /SiO 2 superlattices: Experimental observation and thermodynamic modeling

Zhigunov, D. M. ; Sarikov, A. ; Chesnokov, Yu. M. ; Vasiliev, A. L. ; Zakharov, N. ; Kashkarov, P. K.

Applied Physics Letters, 30 May 2016, Vol.108(22) [Periódico revisado por pares]

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Response to “Comment on ‘Thickness and temperature depending intermixing of SiO x /SiO 2 and SiO x N y /SiO 2 superlattices: Experimental observation and thermodynamic modeling'” [Appl. Phys. Lett. 109 , 166101 (2016)]

Zhigunov, D. M. ; Sarikov, A. ; Chesnokov, Yu. M. ; Vasiliev, A. L. ; Zakharov, N. ; Kashkarov, P. K.

Applied Physics Letters, 17 October 2016, Vol.109(16) [Periódico revisado por pares]

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