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Refinado por: assunto: Crystal Structure remover autor: Zakharov, N.D remover
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1
Ordering in InGaAs/InAlAs layers
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Ordering in InGaAs/InAlAs layers

Zakharov, N. D. ; Liliental-Weber, Z. ; Swider, W. ; Washburn, J. ; Brown, A. S. ; Metzger, R.

Journal of Electronic Materials, 12/1993, Vol.22(12), pp.1495-1498 [Periódico revisado por pares]

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2
Compositional nonuniformities and strain relaxation at misoriented InxGa(1−x)As/GaAs interfaces
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Compositional nonuniformities and strain relaxation at misoriented InxGa(1−x)As/GaAs interfaces

Zakharov, N. D. ; Werner, P. ; Chen, Y. ; Swider, W. ; Liliental-Weber, Z. ; Washburn, J. ; Klem, J. F. ; Tsao, J. Y.

Journal of Electronic Materials, 11/1993, Vol.22(11), pp.1341-1344 [Periódico revisado por pares]

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3
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Stress releasing mechanisms in In 0.2 Ga 0.8 As layers grown on misoriented GaAs [001] substrate

Werner, P. ; Zakharov, N. D. ; Chen, Y. ; Liliental‐Weber, Z. ; Washburn, J. ; Klem, J. F. ; Tsao, J. Y.

Applied Physics Letters, 31 May 1993, Vol.62(22), pp.2798-2800 [Periódico revisado por pares]

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4
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Structure and location of misfit dislocations in InGaAs epilayers grown on vicinal GaAs(001) substrates

Chen, Y. ; Zakharov, N. D. ; Werner, P. ; Liliental‐Weber, Z. ; Washburn, J. ; Klem, J. F. ; Tsao, J. Y.

Applied Physics Letters, 29 March 1993, Vol.62(13), pp.1536-1538 [Periódico revisado por pares]

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