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Refinado por: Nome da Publicação: IEEE Transactions on Electron Devices remover autor: Yamauchi, H. remover
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Decomposition of On-Current Variability of nMOS FinFETs for Prediction Beyond 20 nm

Matsukawa, T ; Liu, Y ; O'Uchi, S ; Endo, K ; Tsukada, J ; Yamauchi, H ; Ishikawa, Y ; Ota, H ; Migita, S ; Morita, Y ; Mizubayashi, W ; Sakamoto, K ; Masahara, M

IEEE Transactions on Electron Devices, August 2012, Vol.59(8), pp.2003-2010 [Periódico revisado por pares]

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Fin-Height Effect on Poly-Si/PVD-TiN Stacked-Gate FinFET Performance

Hayashida, T ; Endo, K ; Liu, Y ; O'Uchi, S ; Matsukawa, T ; Mizubayashi, W ; Migita, S ; Morita, Y ; Ota, H ; Hashiguchi, H ; Kosemura, D ; Kamei, T ; Tsukada, J ; Ishikawa, Y ; Yamauchi, H ; Ogura, A ; Masahara, M

IEEE Transactions on Electron Devices, March 2012, Vol.59(3), pp.647-653 [Periódico revisado por pares]

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